坩埚
形势作了汇报，李总介绍，经过八年的建设运营和持续技改升级，宜昌南玻目前已经形成了年产7000吨高纯多晶硅、600兆瓦硅片、20000只石英坩埚，以及综合利用多晶硅尾气残液年产3400吨纳米白炭黑的
，宜昌南玻目前已经形成了年产7000吨高纯多晶硅、600兆瓦硅片、20000只石英坩埚，以及综合利用多晶硅尾气残液年产3400吨纳米白炭黑的生产能力。其中，高纯多晶硅的实际月产量已进入全球前十名，产品质量
99.99999999%(一二九)的原料的纯度降低至99.9999%(六九)。此外，由于原料需要通过熔融固化过程来加入掺杂原子，而坩埚壁或铸锭炉本身上所带有的其他杂质元素也会通过这一过程渗入。因此
，由于原料需要通过熔融固化过程来加入掺杂原子，而坩埚壁或铸锭炉本身上所带有的其他杂质元素也会通过这一过程渗入。因此，单晶或多晶硅片中的杂质浓度通常会将材料的纯度降至五个九的级别。因此，纯度并不一定
或磷来进行。这一工艺的结果就是将纯度高达99.99999999%(一二九)的原料的纯度降低至99.9999%(六九)。此外，由于原料需要通过熔融固化过程来加入掺杂原子，而坩埚壁或铸锭炉本身上所带有
上生产太阳能电池硅片所用的主要方法是直拉工艺。在坩埚中，将半导体级多晶硅熔融，同时加入掺杂剂。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。 半导体硅的性质依赖于它在制作过程的
，赤磷在常压下的升华温度为41摄氏度，而硅单晶拉制时温度在142摄氏度以上，且在负压下进行。若在冷炉装料时或当硅料熔化后将固态赤磷投放入石英坩埚中，赤磷必然会急速升华，可能会引起溅硅或爆炸等事故，更不
单晶硅外，热场材料主要是高纯石墨和C/C复合材料，如坩埚、发热体、保温筒等，以保证单晶硅制品的纯度。
图1 大型拉制单晶硅炉的结构
2.2 C/C坩埚
拉制
单晶硅采用组合式坩埚，外为C/C坩埚，内为石英坩埚。这是因为熔融硅的温度与石英熔点相近，都在1420℃左右，石英坩埚在这温度下处于软化状态，没有承重能力，外部C/C坩埚是承重的主体。但是，熔融硅不能直接与C
高纯坩埚的使用，有效解决了多晶硅片边缘的黑边及转换效率问题；通过对硅片尺寸的优化设计，适当增加硅片尺寸，有效地提高后端组件的输出功率；而全新的共掺杂技术的投入量产，则彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续
