坩埚

原料和多晶原料的生长环境不同所导致。常规单晶生长使用石英坩埚，石英坩埚在高温时与硅溶液反应，生成SiO2，这样使硅棒中氧的含量有一定幅度提升，从而增加了硼-氧对的数量，硼氧对在经过光照处理时会形成少子
寿命低的BO5，影响电池片的输出功率，最终增加了单晶硅电池的LID光衰值。 　　多晶采用铸锭的方式生长，主要工艺步骤为加热，融化，长晶，退火，冷却步骤。多晶铸锭时坩埚底部热量通过冷却装置把热量带走

，在大型热场、坩埚等成本取得突破性下降前，单炉投料量进一步做大的实用区间有限。近年来，随着单晶领域连续拉晶、多次加料拉晶、大装料、快速拉晶、节能热场等技术的快速突破与推广应用，先进单晶制造商单炉投料

投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值，在大型热场、坩埚等成本取得突破性下降前，单炉投料量进一步做大的实用区间有限。近年来，随着单晶领域连续拉晶、多次加料拉晶、大装料、快速拉晶、节能

上提升效率0.2～0.3%，干法可提升效率0.5～0.8%。至于铸锭成本方面，多晶硅片的铸锭环节，相较于直拉单晶而言，仍具有足够的潜在优势。通过热场升级到G7、加高坩埚、颗粒硅的使用等，铸锭成本优势

提升效率0.5～0.8%。至于铸锭成本方面，多晶硅片的铸锭环节，相较于直拉单晶而言，仍具有足够的潜在优势。通过热场升级到G7、加高坩埚、颗粒硅的使用等，铸锭成本优势将得以巩固。近年来逐步推广PERC等高

可能造成漏电如图9所示，Si3N4颗粒主要来源：1）铸造多晶硅时在坩埚表面喷涂的Si3N4脱落融入硅锭所致；2）镀膜时SiH4的含量偏高，形成Si3N4颗粒。Si3N4颗粒的晶粒贯穿电池片的层错，使PN

、单晶、薄膜三足鼎立，暂时谁也无法一统光伏江湖。但是高效坩埚、黑硅电池、PERC电池以及各种辅材技术的提高将有助于提高多晶硅片的效率，铸锭装料量的增加、金刚线切片在多晶的应用将有助于降低多晶硅片的成本

、纳米白炭黑、铸锭坩埚、蓝宝石衬底的生产。经过八年建设运营和持续技改升级，公司目前已形成年产7000吨高纯多晶硅、500兆瓦硅片、15000只石英坩埚，以及综合利用多晶硅尾气残液年产3400吨纳米白炭黑