坩埚

)为44元，多晶铸锭后每千克附加成本为21元。单晶的拉棒环节成本是多晶的一倍以上。 单晶主要高于多晶的成本在于坩埚、石墨热场以及电力。这主要是由于单晶的单炉产出量相对较小。目前，多晶硅单炉
产出为1200kg，热能、电能等利用效率较高，而单晶硅单炉产出仅为270kg。例如石英坩埚的使用一般是每炉更换一套，虽然单晶单炉用量仅为多晶一半，但其单炉产出更低，因此其耗费坩埚量也更大。 3.2.2

来应对。 第一、近坩埚壁侧用小籽晶块的形式，主要是把形成的多晶硅通过长晶位错的形式档在外边。 第二，现有的坩埚表面的光洁度不够，可以建议抛光打磨处理，避免因表面颗粒易造成多晶成核。 3.界面一定
要保持凸形，带来的好处有二 第一：从中心长晶的好处，中心单晶率较高，从中心往四周长基本上会长出单晶来，收益和良率都会得到保证。 第二 减小和规避因侧壁或者坩埚壁的凹凸点和小杂质点形成多晶核，导致在

料、长晶、退火和冷却。即采用石墨加热器加热，使硅料达到熔点后，打开隔热笼，热量从底部散失，晶体硅在坩埚底部形核，通过控制液固界面的温度梯度，使晶体向上生长，形成多晶柱状晶。法国ECM公司设备结构如图2
SiC-SiO2复合颗粒铺设在坩埚底部作籽晶，能显著降低硅锭中下部的氧含量。常州天合的康海涛等用两面均涂有硅氧层-硅氮层的单晶硅片，诱导形核来抑制位错，降低多晶硅材料体内缺陷。籽晶料种类见图3。 2.2

炉装料量、晶体生长速度到成品率，从单位电耗到坩埚等耗材成本，乃至其自动化生产的便捷程度上，都比单晶制造的直拉法更有优势。此外，生产能耗较低带来了更高的碳足迹分值，这在注重产品生产过程碳足迹的法国等
过程，单晶提拉旋转的过程中硅液不断与以二氧化硅为原料的石英坩埚发生旋转冲刷，而铸锭过程相对而言更像一个安静的美男子。目前单晶硅棒可以做到的平均氧含量先进水平为11-12ppma，而铸锭单晶只有该数值的

、低能耗、大尺寸优势和单晶的高效率、高质量优势结合到了一起。 鑫单晶G3在实际生产中，从单炉装料量、晶体生长速度到成品率，从单位电耗到坩埚等耗材成本，乃至其自动化生产的便捷程度上，都比单晶制造的直拉法
铸锭单晶和直拉单晶的制造过程，单晶提拉旋转的过程中硅液不断与以二氧化硅为原料的石英坩埚发生旋转冲刷，而铸锭过程相对而言更像一个安静的美男子。目前单晶硅棒可以做到的平均氧含量先进水平为11-12ppma，而

不用坩埚，避免了来自坩埚的污染，而且还可以利用悬浮区熔进行多次提纯，所以单晶的纯度高，同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，很好解决光衰问题。 但区熔单晶的工艺比

半导体、光伏、 LED等晶体生长及加工领域，在对相关工艺及材料具有深刻理解的基础上，围绕晶体生长加工衍生出拉晶炉、切割、截断等设备，以及蓝宝石晶体、抛光液、阀门、磁流体、石英坩埚等材料及零部件，同时

日本科学家在近日于韩国釜山召开的第二十五届太阳光发电国际会议上宣布，日本科学技术振兴机构中岛公式一雄领导的一个研究小组首次利用50厘米直径的标准石英坩埚，制作出40厘米直径以上的高品质硅铸块单晶体
60厘米直径的石英坩埚制作22厘米直径硅结晶体，一个切片只能制作一张通常尺寸(15.6厘米15.6厘米)的硅晶片。CZ法制作大尺寸硅结晶需要更大尺寸的石英坩埚，因此降低成本比较困难。 研究小组采用