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国际领先!华为智能组串式构网型储能系统关键技术及应用成功通过技术鉴定来源:华为数字能源 发布时间:2024-07-29 19:41:23

控制芯片,实现了暂态高倍率有功、无功快速支撑,提出了新型抗湿材料的转模塑封技术,提升了在复杂、恶劣环境条件下的长时间可靠运行能力;构建了安全可靠的底层核心器件设计、制造的能力体系。技术成果在新疆哈密

世界首条特高压柔性直流工程开工 节能减排显著效益!来源:索比光伏网 发布时间:2024-07-29 18:43:05

特高压工程中首次应用,创造多项世界领先成就,对类似项目起到重要的试验示范作用。此外,甘肃—浙江特高压工程还首次研发应用了4.5千伏、5千安级的电力半导体器件,并研制成套设备,有望推动形成柔性直流装备

隆基绿能加速布局新能源领域,1亿元成立内蒙古新能源科技公司隆基亚欧来源:索比光伏网 发布时间:2024-07-29 15:57:44

,法定代表人为张海濛,注册资本为1亿元人民币。该公司经营范围广泛,涵盖了光伏设备及元器件销售、电池制造、碳减排技术研发以及生物质成型燃料销售等多个领域,充分展现了隆基绿能在新能源产业链上的综合布局能力。此次

国家纳米中心关于Dion-Jacobson型钙钛矿太阳能电池的研究获进展来源:国家纳米科学中心 发布时间:2024-07-26 14:22:28

Communications)上。效率、稳定性和可拓展的大面积器件制备技术是钙钛矿太阳能电池实际应用的三个关键。相比于三维钙钛矿太阳能电池,二维钙钛矿中的Ruddlesden-Popper型和
Dion-Jacobson型太阳能电池具有优异的稳定性和器件性能。在效率上,这两种类型的钙钛矿太阳能电池转换效率普遍低于19%。该团队利用锍阳离子辅助中间相工程调控Ruddlesden-Popper型钙钛矿太阳能电池性

西安:推动钙钛矿(叠层)电池、异质结电池、IBC电池等前沿技术突破来源:西安市人民政府办公厅 发布时间:2024-07-26 14:14:38

,推进高端金属及非金属增材制造设备用激光器、振镜、打印喷头等关键器件国产化替代,实现金属合金粉末、聚合物、复合材料等原材料自主可控,加快增材制造在航空航天、医疗卫生、新能源汽车、信息通信等重大领域的
产业应用。(2)无人驾驶。加快电子控制元器件、芯片、车载传感器、智慧座舱等重要零部件突破和技术迭代,提升高算力芯片、人工智能算法、云端算力集群等标准化体系建设的配套等,推动智能网联决策控制及自动驾驶等

浙江大学薛晶晶&西湖大学王睿等最新Nature:用于钙钛矿太阳能电池的近融合多环芳烃分子接触来源:钙钛矿工厂 发布时间:2024-07-26 10:23:19

两个N-取代的π-共轭结构,如:咔唑以及三苯胺。并且,分子优化多围绕其衍生物进行。02、关键问题然而,由于这种杂原子取代结构会导致该类分子具有较差的稳定性,阻碍了电池器件寿命的进一步提高。因此,在
依赖性光谱研究揭示了Py3中分子间堆积的显著增强和非谐波相互作用的抑制,这有助于提高分子接触的性能。04、研究结果研究结果表明,基于Py3为空穴传输层结构的器件效率高达26.1%(第三方机构认证为

印度拟对进口光伏玻璃征收10%关税来源:pv-magazine 发布时间:2024-07-25 16:10:25

光伏组件的镀锡铜互连器件也将征收5%的关税。印度财政部长在有关这项预算的演讲中表示:“鉴于国内光伏玻璃和镀锡铜互连器件的制造能力充足,我建议不延长对它们提供的关税豁免期限。”而用于制造可再生能源

上海硅酸盐所在钙钛矿太阳能电池研究中取得新进展来源:上海硅酸盐所 发布时间:2024-07-23 14:41:10

)到PbI2前驱体溶液中,用于提高器件性能。CPMIMBF4添加剂作为PbI2和二甲基亚砜(DMSO)之间的桥梁,有效抑制了PbI2的快速成核,形成了多孔的PbI2薄膜,使得PbI2和有机铵盐之间发生
充分反应。通过使用CPMIMBF4添加剂,提高了钙钛矿薄膜的质量,并降低了器件的陷阱密度,在TiO2基底上实现了24.25 %的光电转换效率。为研究CPMIMBF4在PbI2和钙钛矿薄膜中的迁移

总投资10亿!年产5万吨高纯石英砂、1.2万只石英坩埚项目开工来源:铜官政务、铜官区生态环境分局 发布时间:2024-07-22 14:28:43

)》鼓励类项目组第十二条“建材”第10款“高纯石英原料(纯度大于等于99.999%)”、半导体用高端石英坩埚、半导体用石英陶瓷器件(纯度大于等于99.9%)、化学气相合成石英玻璃等制造技术开发与生产

“三高一降”,光伏储能系统趋势及其模拟芯片解决方案来源:纳芯微电子 发布时间:2024-07-18 13:59:54

输出并网。最上方电路为电池储能系统,通过一个双向DC-DC模块,完成电池的储电和放电。下方为MCU 和基于ARM的控制电路,在低压侧实现系统通信与控制。为保障系统安全可靠运行,系统中需要很多隔离器件
MOSFET产品;以及带米勒钳位功能的隔离驱动芯片NSI6801M(避免功率器件误导通)和带DESAT保护功能(过流时保护功率器件不被损坏)的NSI68515,以更好地适配第三代半导体和高开关频率