吸收率
。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和LPE技术，其中
转换效率受到人们的普遍重视。GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1．4eV，正好为高吸收率太阳光的值，因此，是很理想的电池材料。GaAs等III-V化合物薄膜电池的制备主要采用 MOVPE和
复杂地况，其吸收率可高达97%，发射率低于3%，玻璃透光率可达91.7%，散热损失低于0.023w/m℃，并且完全可以工作在-50℃至 -60℃环境温度下，寿命可达30年。据悉，目前国内众多知名厂家与
吸收率。通常的方法是晶体硅表面的绒面结构，结合前表面的氮化硅减反层来实现。对于传统的丝网印刷铝背场p-Si电池，在电池背表面采用铝背场结构(Al-BSF)，这种电池由于背表面点复合速率比较高，电池的效率
电池对入射光的吸收率。通常的方法是晶体硅表面的绒面结构，结合前表面的氮化硅减反层来实现。对于传统的丝网印刷铝背场p-Si电池，在电池背表面采用铝背场结构(Al-BSF)，这种电池由于背表面点复合速率
。用于光伏组件的低铁超白压延玻璃，由于上下表面的半波损失反射率约为4%，吸收率小于1%，可见光透过率一般不超过92%。由于玻璃的光吸收率较小，因此要提高透光率最好的办法是减小反射率，通过镀上一层厚度为
损失反射率约为4%，吸收率小于1%，可见光透过率一般不超过92%。由于玻璃的光吸收率较小，因此要提高透光率最好的办法是减小反射率，通过镀上一层厚度为光波长度四分之一的减反膜可以实现减少反射的目的。表
染料敏化太阳能电池对太阳光的吸收率,由此构造了染料敏化太阳能电池-DSSC(dye-sensitizedsolarcell)电池.1991年瑞士洛桑高等工业学院的Gratzel教授等在Nature上发表文章
索比光伏网讯:由新南威尔士大学和尚德合作开发的太阳能电池技术，最近在研究中心合作协会的会议上被授予2012年合作创新奖。 被授予Pluto的太阳能电池技术采用独特纤维变性工艺提高了阳光吸收率，使
的挑战，看一下目前的现状，可以看到我们使用CIGS非常具有吸收率这样的材料，它的效率可以提升到25%，这是今后潜在的效力，目前这个是0.7平方米，今后可以提升到5.7%平方米，潜在可以提升到18
