截断面干净、不存在损伤点,主要原因是无损划裂过程不存在激光高温烧蚀过程。 加工粉尘 常规激光划裂工艺要求去除切割道内的硅材料,因而产生大量硅粉尘,需要特殊设计的除尘装置,否则容易引发
);
k. 湿刻放反片;
l. 微晶片。
1.3 串联电阻RS偏大
a. 烧结没烧透;
b. 扩散方阻偏大;
c. 湿刻放反片;
d. 湿刻方阻上升过大;
e. 死层去除不够干净;
f.
;对于方阻小的就要进行破坏测试,先去除氮化硅膜,然后测试方阻来确定;
2.15 湿刻过刻
测试指标表现为:短路电流偏小、串联电阻偏大、并联电阻偏小、暗电流偏大;
a. 备注说明:正常
工艺为 RCA 清洗或臭氧(O3)清洗。本环节的目的是去除机械损伤层、降低表面反射率、提高表面清洁度。
非晶硅薄膜沉积:常用的工艺包括等离子体增强化学的气相沉积法(PECVD)与热丝化学气象沉积
去除有机物和金属杂质(SC1、CP、SC2、DHF)。制绒清洗工艺的主要目的为:(1)降低硅片表面反射率,利用 KOH 腐蚀液对 N 型硅片进行各向异性腐蚀,即在硅片表面形成绒面,可将硅片表面反射率
:长边Y=2390mm,短边X=1135mm。 去除合理的爬电距离和误差预留等,考虑6串电池设计,182mm 左右为考虑组件宽度方向的最佳硅片边长。然而182边长的硅片叠加到长边方向就会超过
生产基地,2017年炼油产能在全国的占比高达60%。炼油厂使用氢气将原油加工成汽油和柴油等精炼燃料,并去除硫等污染物。 值得关注的是,ALAR还通过其朱拜尔管道提供氢回收解决方案,凭借液化空气经验丰富的常压和低温
P的接触孔区需要与各自的扩散区对准,否则会造成电池漏电失效。与形成交替相间的扩散区的方法相同,可以通过丝网印刷刻蚀浆料、湿法刻蚀或者激光等方法来将接触区的钝化膜去除,形成接触区。 另外,蒸镀和电镀也
of Radiation)。 加工原理为具有较高能量密度的激光束照射在被加工材料表面,材料表面吸收激光能量,温度上升,产生熔融、烧蚀、蒸发,从而达到去除表层的目的。 1.2 激光开槽作用
,考虑到疫情影响,能源局明确2020年一季度的风电、光伏发电限发电量不纳入清洁能源消纳统计考核。 也就是说,电网公司组织测算了全年的新能源弃电量,去除一季度的弃电量后,再能够新增一部分装机,得到
对组件发电量的收益大概在3-5%左右。因此,对组件发电量损失最大的罪魁祸首是泥带- 很难去除的顽垢并影响整块组件发电量的泥带。 TestPV此前报道的去除泥带运维利器排水除泥器不需要人为的参与或能
99.99999999%相似电学和寿命。 因此,使用传统工艺会浪费能源。 Aurinka及其合资伙伴打算使用连续熔融而不是蒸馏硅,在此过程中,杂质和有害元素(如硼和磷)将被去除。 首席执行官补充说:它纯化后的纯度为