去除

) 从氯代硅烷中去除铝的方法 WO0238497 2001-11-2 2002-5-16 SOLARWORLD AG (DE); BLOCK HANS DIETER (DE
聚苯乙烯树脂催化剂造成的羟基氯代硅烷不均匀性 DE10057521 2000-11-21 2002-5-23 SOLARWORLD AG (DE) 从氯代硅烷中去除氯化铝

减税额相关规定，自能源法案中去除，这种降低或去除太阳能补助办法的作法并不是首例，全球前2大太阳能市场德国及日本，政府策略也是朝这个方向前进，这些政府的策略方针改变，亦是未来几年最需担忧的市场变量之一
，日本2007年开始停止住户太阳能奖励方案，部分太阳能业者认为，该方案去除主要即是为公平起见，因为安装太阳能发电系统的住户所取得补贴，正是全国纳税人的钱。2007年日本太阳能市场已出现萎缩情况

6491万人，同比增加53万人，是连续第9个月增加。 　　6个月　　日本总务省7月31日公布的报告显示，去除物价变动因素影响，今年6月份日本家庭平均消费支出比去年同月增加0.1%，为28.0587万日元

芯片的缺损（崩边）及损伤。（3）洗净工序：经过涂装及切割后的晶圆利用设备下部的洗净装置进行纯水洗净，去除在最初工序中涂布的涂层及附着的碎屑。（4）无等离子的干蚀刻工序：使用面向超薄硅晶圆新开发的XeF2

℃～450℃的热处理。该工艺同时也促进CdS/CdTe的界面扩散，减少界面的格子失配程度和钝化了薄膜的晶界势垒。但该工艺在碲化镉膜面形成了一高阻氧化层，可以用化学腐蚀或离子刻蚀去除CdTe膜面的高阻

） 　　主要原料：研磨浆料（主要成份为氧化铝，铬砂，水），滑浮液。 　　腐蚀：指经切片及研磨等机械加工后，晶片表面受加工应力而形成的损伤层，通常采用化学腐蚀去除。 　　腐蚀的方式：（A）酸性腐蚀
：指单晶硅片表面需要改善微缺陷，从而获得高平坦度晶片的抛光。 　　抛光的设备：多片式抛光机，单片式抛光机。 　　抛光的方式：粗抛：主要作用去除损伤层，一般去除量约在10－20um

／CdTe太阳电池是在玻璃衬底上分别印刷烧结一层n-CdS和p-Cdh薄膜构成。首先将经过焙烧挥发去除杂质的CdS粉未研磨成小颗粒，烘干后再加入12％重量的CdCl2助溶剂，用丙二醇调制成CdS膏浆。用涤纶或
。主要危险是其尘埃通过呼吸造成对人类和其它动物的危害。因此对破损的玻璃片上的Cd和Te应去除并回收。损坏或废弃的组件必须妥善处理或用60％H2SO4＋1.5％H202处理。 3．7国内外发展现状与

目前制造太阳级硅的主要方法是使用精炼的冶金级硅，采用电子束加热真空抽除法去除磷杂质，然后凝固，再采用等离子体氧化法去除硼及碳，再凝固。采用水蒸气混合的冠等离子体可将硼含量降到0?lppm的水平，经过再