去除

poroussilicon图6不同厚度多孔硅对应的颜色图7硅片腐蚀深度与多孔硅厚度的关系图8多孔硅形貌图9去除多孔硅后的绒面形貌

晶体硅太阳能电池湿制程设备：IPSG CEI 4800。该设备主要用于去除晶片背部及边缘的高掺杂层，进而产生化学边缘隔离（CEI），还能去除之前扩散过程中在晶片正面生成的磷硅玻璃（PSG）。Manz
图2.该设备能去除之前扩散过程中在晶片正面生成的磷硅玻璃（PSG） 图3.该设备主要用于去除晶片背部及边缘的高掺杂层，进而产生化学边缘隔离（CEI）

，更将拥有2月24日以前的执照，视为德国太阳能系统投资史上最后有利可图的大饼，各类陈年仍未完成的德国系统执照，也变成第2季资金市场抢买的标的，只要将过往申请的成本及部分小技术等细节问题处理掉或去除，就

处理掉或去除，就值得评估投资，也因为如此，吸引德国各类陈年系统执照都出笼。　　由于拥有太阳能系统执照者多数以相对大规模的系统案为主，尤其屋顶的大系统包括3百万瓦(MWp)、5MWp、10MWp等所占比例

中，各工艺槽后均有风刀，其作用是去除硅片表面的化学液体和水。风刀用的气体为压缩空气，其中含有部分油和水的混合物，它会玷污硅片表面，从而形成表面缺陷。２.２．２扩散工艺ＰＮ结均匀性差，高方块电阻的硅片

索比光伏网讯:一.硅片的化学清洗工艺原理硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：A.有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B.颗粒
沾污：运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径0.4m颗粒，利用兆声波可去除0.2m颗粒。C.金属离子沾污：必须采用化学的方法才能清洗其沾污，硅片表面金属杂质沾污有两大类：a.一类是沾污

及加工，去除上下的杂质富集层后进行清洗，底部硅块和顶部大晶粒硅块各取6块，厚度25～30mm将其作为另一部分籽晶。将通过以上得到的25块籽晶按55的方式紧密排列平铺在内部尺寸为840840400mm的

要求较高，但其线痕并不是一个大问题，因为相对而育其硅片较厚，切割过后有一抛光研磨过程可以去除线痕；而光伏" title="光伏新闻专题"光伏行业的硅片非常薄，且在整个光伏行业原料紧缺的情况下，更不

，二季度意大利市场或有2GW的装机需求。非光伏类可再生能源的最新方案将于2013年年初生效。此外，意大利原先设下系统60%成本必须欧洲制造(madeinEU)也因耗用太多成本，可能在新法案中去除

3.615亿美元）的固定资产减值处理。（2）冶金法有别于改良西门子法和硅烷法的化学方法，冶金法是利用物理方法生产太阳能级多晶硅，其典型工艺是将纯度好的冶金硅进行水平区熔单向凝固成硅锭，去除硅锭的外表部分和
金属杂质聚集的部分后，将硅锭粗粉碎并清洗，并在等离子体熔解炉中去除硼杂质，然后二次区熔单向凝固成硅锭，再次除去外表部分和金属杂质聚集的部分然后粗粉碎和清洗，最后在电子束熔解炉中除去磷和碳杂质