去除

，对硅片进行了扩散，形成了P-N结。但形成的P-N结与理想的P-N结有差距，如图5.1所示：图5.1理想的P-N结与实际形成的P-N结周边的扩散层可能造成电池短路，所以很有必要对周边多余的部分进行去除
。在太阳电池的常见工艺中，常常是在含硼的磷型硅片上扩磷，所以要去除的主要是周边扩散了磷的部分。为了将扩散所得的硅片制成P-N结，我们得把四周的N型层去掉。背面的N型层可以用补偿法消除，用丝网印刷铝浆

第六届国际太阳能产业及光伏工程（上海）展览会暨论坛 (展位：E3馆，310)，推出了其最新的晶体硅太阳能电池湿制程设备：IPSG CEI 4800。该设备主要用于去除晶片背部及边缘的高掺杂层，进而产生
化学边缘隔离（CEI），还能去除之前扩散过程中在晶片正面生成的磷硅玻璃（PSG）。 得益于新的湿制程设备，我们实际上将Manz之前已经建成的光伏制程工艺加工链更加紧密地连接了起来。将更多的加工步骤整合

工艺非常简单，第一步就是这个硅片要拿来清洗制绒，第二个就是一步的高温扩散，大家都是用P型电池，非常容易，而且现在这种扩散设备越来越好。第二个，大部分用湿法隔离，正面PSG的去除，还有背面抛光都是一次

湿制程设备：IPSG CEI 4800。该设备主要用于去除晶片背部及边缘的高掺杂层，进而产生化学边缘隔离（CEI），还能去除之前扩散过程中在晶片正面生成的磷硅玻璃（PSG）。"得益于新的湿制程设备

腐蚀法可以在硅表面形成不规则的倒金字塔形织构，工业生产中通常采用两步制绒法，即先采用较高浓度的碱（ＮａＯＨ或ＫＯＨ）在高温条件下对单晶硅片进行短时间的粗抛以去除硅片在线切割过程形成的切割损伤，然后再
Ｈ２Ｏ或ＣＨ３ＣＯＯＨ，主要起到减小腐蚀速率与缓和反应的作用。但是，基本的化学反应是不变的，大致的蚀刻机制是ＨＮＯ３（一种氧化剂）腐蚀，在硅片表面形成了一层ＳｉＯ２，然后这层ＳｉＯ２在ＨＦ的作用下去除。酸

中，在300-500℃下真空退火一定时间。将样品置于标准铝腐蚀液中腐蚀以去除表面残留的铝。采用真空蒸镀的方法在玻璃衬底上沉积1层非晶硅薄膜，再通过铝诱导晶化的方法可以制备出晶粒分布较均匀、晶粒尺寸

的电池/模块的制造产能。而不在定义内的其他产能则为无效产能，在考虑产能/利用率和供需关系分析时候可以去除掉。虽然许多厂商仍期待重新启用休眠中的产能，但冀望在2011年没有竞争力的产能能够在2013年

索比光伏网讯:多晶硅制绒是损伤层的去除和制绒面同时进行的，控制的主要参数是制绒深度，为保证损伤层的去除干净，制绒深度必须要够，但不能过大，制绒深度不够导致损伤层去除不净，腐蚀坑过深过窄，制绒深度

可以去除掉。 虽然许多厂商仍期待重新启用休眠中的产能，但冀望在2011年没有竞争力的产能能够在2013年重启并富有竞争力，或许是一厢情愿。 任何市场需求的增长都将带动着有效产能利用率的增长

有能力生产满足市场需求的光伏电池/组件的制造产能。而不在定义内的其他产能则为无效产能，在考虑产能/利用率和供需关系分析时候可以去除掉。虽然许多厂商仍期待重新启用休眠中的产能，但冀望在2011年没有