原材
太阳能光伏技术——多晶薄膜与薄膜太阳电池来源：solarbe.com 发布时间：2007-06-08 17:25:55
0.955V（对SCE），脉冲时间1s。沉积2h后，衬底上呈现100nm～110nm原黄色CdS膜。 CdTe溶液是用分析纯C北和高纯水制成2.5MC2+溶液，并在10mV电位下电纯化12h，加入
光源将石墨样品托架加热到1200℃。试验所用衬底为重掺杂磷非活性单晶硅片或非硅质底材。在1030℃下薄膜生长速率为10nm／s，研究了薄膜生长特性，薄膜的微结构，并研制了多晶硅薄膜电池，电池结构为金属
