印刷生产
洗选和提质加工,原煤入选率达到70%以上。完成冶金行业烧结机、新型干法水泥生产线和耐火材料、陶瓷等工业窑炉脱硫脱硝除尘改造。开展石油化工、表面涂装、包装印刷等重点行业挥发性有机物综合治理。加快淘汰黄标
生产总值能耗下降3.5%,万元生产总值二氧化碳排放量降低3.7%,化学需氧量、氨氮、二氧化硫和氮氧化物排放量分别控制在126.1万吨、13.2万吨、111万吨和122.5万吨,较2015年分别削减2
煤气发生炉;推进煤炭洗选和提质加工,原煤入选率达到70%以上。完成冶金行业烧结机、新型干法水泥生产线和耐火材料、陶瓷等工业窑炉脱硫脱硝除尘改造。开展石油化工、表面涂装、包装印刷等重点行业挥发性有机物
低碳发展良好开局。(二)主要目标。2016年全省万元生产总值能耗下降3.5%,万元生产总值二氧化碳排放量降低3.7%,化学需氧量、氨氮、二氧化硫和氮氧化物排放量分别控制在126.1万吨、13.2万吨
煤炭洗选和提质加工,原煤入选率达到70%以上。完成冶金行业烧结机、新型干法水泥生产线和耐火材料、陶瓷等工业窑炉脱硫脱硝除尘改造。开展石油化工、表面涂装、包装印刷等重点行业挥发性有机物综合治理。加快淘汰黄
。(二)主要目标。2016年全省万元生产总值能耗下降3.5%,万元生产总值二氧化碳排放量降低3.7%,化学需氧量、氨氮、二氧化硫和氮氧化物排放量分别控制在126.1万吨、13.2万吨、111万吨和
，均应在投标截止日前5天，按照招标文件投标人须知前附表第15项说明中招标人的地址，以书面形式（包括手写、打印、印刷、电传、电报、传真和电子邮件，下同）通知招标机构。不论招标人根据需要主动对招标文件进行必要
使用中文。如果任何投标人提供的印刷文字以另一语言书写，也须在相应段落伴之以中文译本，在此种情况下，为便于理解投标文件则应以翻译文本为准。7.投标文件的构成投标人应按招标文件规定的内容和格式编制投标文件
索比光伏网讯: 近日，ASM 可再生能源(ASM AE)宣布将于5月24至26日召开的SNEC国际光伏工程展览会上，发布新的太阳能电池印刷技术。新的快速响应XtremePrint印刷系统将被安装于
太阳能金属化工艺的重要里程碑，ASM AE业务发展副总裁Brian Lau说道。过往的印刷头技术，都是建立在牺牲印刷速度的基础上，实现硅片表面适应。XtremePrint是市场上响应最快的浆料印刷系统
电池生产线提供商)，Asys(晶体硅电池丝网印刷设备提供商)，h.a.l.m. elektronik(太阳电池测试设备提供商)等，都希望与我们合作。这两年，瑞士ABB(著名电气、自动化等设备公司
1、我曾打算说服霍英东进入太阳能产业
中国光伏制造业规模化发展是从光伏应用小产品开始的。早期的一些企业主要是从国外进口太阳电池，然后按照国外订单要求，生产各类光伏小产品用于出口。光伏小产品如庭院灯
一直致力于通过前沿技术的应用提升光伏组件效率。作为国内率先唯一采用单次印刷实现PERC高效组件的企业，我们对彩虹208系列组件的效能相当有信心。目前由杜邦SolametPV76x正面银浆、PV56x专用
是专为PERC电池技术所设计的浆料系列中的最新产品，这也使得杜邦成为业界第一个专为PERC电池技术开发正面导电银浆的企业。杜邦应用于PERC电池的整合性浆料解决方案可帮助电池转换效率显著提升0.15%，并已在多晶与单晶背钝化电池的生产获得实证。
供应PERC高效组件的制造商之一，并一直致力于通过前沿技术的应用提升光伏组件效率。作为国内率先唯一采用单次印刷实现PERC高效组件的企业，我们对彩虹208系列组件的效能相当有信心。目前由杜邦
的材料供应商。杜邦 Solamet PV76x导电浆料是专为PERC电池技术所设计的浆料系列中的最新产品，这也使得杜邦成为业界第一个专为PERC电池技术开发正面导电银浆的企业。杜邦应用于PERC电池的整合性浆料解决方案可帮助电池转换效率显著提升0.15%，并已在多晶与单晶背钝化电池的生产获得实证。
ASM 可再生能源(ASM AE)将于5月24至26日召开的SNEC国际光伏工程展览会上，发布新的太阳能电池印刷技术。新的快速响应XtremePrint印刷系统将被安装于公司获奖产品Eclipse
太阳能金属化工艺的重要里程碑，ASM AE业务发展副总裁Brian Lau说道。过往的印刷头技术，都是建立在牺牲印刷速度的基础上，实现硅片表面适应。XtremePrint是市场上响应最快的浆料印刷系统
往往需要和减小正面电极的遮光面积之间进行平衡。其中在工业化生产中应用最成熟的是细栅密栅电池技术。在不降低正面电极总的印刷浆料增重的前提下，将细栅线宽度降低，细栅线数目增加。细栅线数目增加意味着相邻栅线
反射率，目前已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz
