单结硅太阳能电池

的改善，重新获得了人们的重视。目前单结非晶硅太阳能电池的光电转换效率稳定值已达到5％~7%，实验室最高效率为13．2人多结电池为7%～9%，实验室最高效率为15.3%单结非晶硅电池组件原材料成本0．3

热不敏感，适合于制造高效单结电池，但是GaAs材料的价格不菲，也在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。铜铟硒薄膜电池(简称CIS)适合光电转换，不存在光致衰退问题，转换效率和多晶硅相当，但铟和硒都是

：REC。 这些公司分布在晶体硅太阳能电池产业链的各个环节，即晶硅制备(单晶硅、多晶硅、非多晶硅薄膜)、硅片生产、电池制造、组件封装四个环节。产业链最上游是太阳能晶硅制备，这个环节技术门槛高

。产品主要为单晶硅光电池和非晶硅电池，其他类型光电池目前还处于研制阶段。单晶硅太阳电池转换效率以达14％，实验室最高为20％。单结非晶硅太阳电池的稳定效率为5％－5.5％，实验室最高效率为8.35

的富勒烯单壁碳纳米管复合体”。　　米特拉说，利用太阳能电池从充裕的太阳辐射中直接获取能量正日益成为未来全球能源战略的重要组成部分。然而，在可再生能源的利用问题上，仍然存在诸多挑战。昂贵的大规模基础设施
，比如风力发电设施或水坝，对于驱动风力或水力发电厂等可再生能源设施是必不可少的。用于制造计算机芯片的高纯度硅同样也是构成常规太阳能电池的核心材料。可是高纯度硅等材料的加工极为昂贵，超出了大多数消费者的

美元/Wp；非晶硅太阳能电池单结售价3~4美元，多结售价为4～5 美元/Wp。与十年前相比，太阳光电池价格普遍降低20%。最近，瑞士联邦工学院M·格雷策尔研制出一种二氧化钛太阳能电池，其光电转换率高达

进行HCI腐蚀处理。 为制备多晶硅薄膜太阳龟池，在激活层表面进行腐蚀形成绒面织构，并在其上进行n-型杂质扩散形成p-n结，然后进行表面钝化处理和沉积减反射层，并制备上电极，进行背面腐蚀和氢化
处理，制作背电极，即制成多晶硅薄膜太阳能电池。 上述结构不但有效地降低串联电阻，还能增加背反射。在10cm10cm面积上获得转换效率为14. 22％的多晶硅薄膜太阳电池。 4．1．3 等离子

)X3e$K#|7y)aS 13.6!n3D#c&{#f ^P.~ 1′1, 非活性硅衬底上 非晶硅电池 11.2(单结)4m3H } e"U](c11.4

结硅太阳能电池。这些太阳能电池只能利用太阳自然产生的光亮度，且其最佳效率限定于一个相对狭窄的光子能量范围中。 Spectrolab有限公司研究小组对聚光多重接合太阳能电池进行了实验，使用高强度的

受限于硅晶圆的尺寸）。 单、多晶太阳能电池较非晶太阳能电池能够转化多一倍以上的太阳能为电能，但单、多晶的价格比非晶的价格贵两三倍以上，在阴天的情况下非晶体式反而与晶体式能够收集到差不多一样多的