单结硅太阳能电池

设备PECVD及工艺技术　　自主开发关键设备PVD的工艺技术　　光伏电池生产工艺需求及系统的优化设计　　所有设备的工艺过程全自动化　　标准生产线年产能 30 MW（可分阶段实现）　　非晶硅薄膜单结
新一代高性价比、高产能、高可靠性的非晶硅薄膜太阳能电池生产线。 其核心设备：新一代等离子强化型化学气相沉积（PECVD）系统拥有完全自主知识产权，在多基板-致密沉积类别的设备家族中，解决了射频不稳定和

工艺技术·自主开发关键设备PVD的工艺技术·光伏电池生产工艺需求及系统的优化设计·所有设备的工艺过程全自动化·标准生产线年产能 30 MW（可分阶段实现）·非晶硅薄膜单结光伏电池光电转换效率 ≥ 6%（可

单电池板的输出，因此TI的C2000 Piccolo和Delfino MCU非常适用于太阳能逆变器应用。其中，Piccolo MCU可为太阳能电池板提供更高的工作效率以及太阳能逆变器控制功能；而
技术领域。因此下文将介绍太阳能逆变器设计所需注意的技术要点、挑战以及相应的解决方法。 　　基本设计标准 　　基于太阳能逆变器的专用性以及保持设计的高效率，它需要持续监视太阳能电池板阵列的电压和

基薄膜电池的投资热潮。研究机构目前已经描绘了五代硅基薄膜太阳能电池工艺技术：第一代非晶硅单结薄膜太阳能电池、第二代非晶硅/非晶硅双结薄膜太阳能电池、第三代非晶硅/微晶硅双结薄膜太阳能电池、第四代非晶硅/非晶硅锗

潮 在世界范围内出现了硅基薄膜电池的投资热潮。研究机构目前已经描绘了五代硅基薄膜太阳能电池工艺技术：第一代非晶硅单结薄膜太阳能电池、第二代非晶硅/非晶硅双结薄膜太阳能电池、第三代非晶硅/微晶硅双结

基薄膜太阳能企业也迅速增多，特别是在中国和印度等发展中国家。我国非晶硅电池原只有哈尔滨克罗拉、深圳宇康1MW单结a-Si电池生产线，现增加福建钧石能源、天津津能、蚌埠普乐等已建和在建的20多家非晶硅

。 技术发展和创新是关键 为使太阳能电池真正实现高效、稳定、长寿命，技术的发展和创新是关键中的关键。 晶体硅电池技术所带来的硅用量需求比IC行业大得多，导致了

出的技术蓝图清晰指出，5年后晶体硅（c-Si）太阳能电池的效率将增长3-5%，平均值将达到16-20%。对于薄膜太阳能面板，总体效率较低，但也有望获得相应提高。比如，从单结非晶硅（a-Si）结构向串联

他发明了纳米硅隧道结技术，从而制成当时（1994年）世界上能量转换效率最高的大面积多结非晶硅簿膜太阳能电池（11.3%）。此后他直接领导了技术产业化的工作，参与了世界上第一条10MW生产线建设的整个

的帮助。薄膜电池业务还在筹备之中，技术已经基本准备好，为非晶微晶叠层的太阳能薄膜电池，正泰是全球范围内比较早进入高端多结薄膜太阳能电池领域的制造商，国内目前大部分进入薄膜电池行业的企业都会选择单结非晶