单晶P型

仍然是晶硅中游制造产业链的关注焦点。准单晶技术真的能使电池效率突破（P型）多晶被局限的边界吗？还是在整个价值链的成本降低计划被实现之后，这只是低成本单晶硅生长技术出现之前的一种短期方案？我们与价值链上

。熊猫组件具有几大技术优势：首先是领先的光电转化效率。目前英利生产的熊猫电池的平均效率已达19%，最高效率达到了20%；其次，实验数据表明，与普通P型单晶硅组件2%的初始光衰减相比，熊猫组件的初始光衰减

表面的反射率。目前获得的最佳平均反射率仅为2.8%，这一数值非常接近生产线上的氮化硅覆盖的绒面结构(STDSiNx)，其平均反射率为~2.9%。与此同时，采用Al2O3作为钝化层，对p型晶体硅
片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定温度的钝化激活，硅片的最佳有效少数载流子寿命由钝化前的6s提升到~3ms，有效表面复合速率仅为6cm/s。对n型晶体硅片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定

Energy）发表了两项技术突破，其中一项是名为CELCO的电池技术，通过结合背面钝化和局部背电极技术，采用6寸（156x156mm）p型Cz单晶硅片生产出CELCO电池的效率可以达到20.2%，目前该

技术路线，具有很强的市场竞争力和发展潜力。熊猫组件具有几大技术优势：一是领先的光电转化效率。目前英利生产的熊猫电池的平均效率已达19%，最高效率达到了20%；其次，实验数据表明，与普通P型单晶硅组件2%的

的市场竞争力和发展潜力。熊猫组件具有几大技术优势：一是领先的光电转化效率。目前英利生产的熊猫电池的平均效率已达19%，最高效率达到了20%；其次，实验数据表明，与普通P型单晶硅组件2%的初始光衰减相比

p型晶体硅片(P-CZ-Si)进行钝化处理，并经过一定温度的钝化激活，硅片的最佳有效少数载流子寿命由钝化前的6s提升到~3 ms，有效表面复合速率仅为6cm/s。对n型晶体硅片(P-CZ-Si)进行

%的效率。用名义上不掺杂的，单晶衬底上1m厚c-Si吸收层和p+发射层，不用抗反射层（ARC）能达到1.5%的效率。这里证明了，T=170℃时能获得高质量的p型同质外延发射层。制造Si太阳电池时不用

取得更高转换效率的现有技术进行部分调整。叠印、选择性发射极、发射极穿孔卷绕之类的技术属于这一列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。第二种方案涉及到有关单晶硅N型

列。单晶硅、多晶硅或主流P型与N型光伏产品可以通过这类工艺提高转换效率。 　　 第二种方案涉及到有关单晶硅N型太阳能电池的技术。比如，美国SunPower公司发表量产制程的第三代交指式背接触太阳电池