单晶组件项目

多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；3.
多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其

要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA
;3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%;4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%;5.硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe

要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA
；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe

能不低于1000吨；硅棒年产能不低于1000吨；硅片年产能不低于5000万片；晶硅电池年产能不低于200MWp；晶硅电池组件年产能不低于200MWp；薄膜电池组件年产能不低于50MWp。多晶硅电池和单晶
硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别

光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3。cm，碳、氧含量分别
小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3。cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA； 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%； 4.

。 （四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求： 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求； 2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在
1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA； 3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17

多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；3.多晶硅电池
和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池

、关键技术装备和材料发展缓慢，整体光伏企业鱼龙混杂，恶性竞争日益严重。《意见》提出下一步要采取四个方面的措施。一是抑制光伏产能盲目扩张。严格控制新上单纯扩大产能的多晶硅、光伏电池及组件项目。加快淘汰能耗高
是光伏产品企业竞争的关键。应充分发挥新能光伏新型MonoMax高效晶体硅电池研发中心等企业技术研发平台创新引领作用，加快提高现有光伏企业单晶硅、多晶硅、非晶硅等光伏电池转换效率，降低多晶硅生产综合电耗

索比光伏网讯:四、加快产业结构调整和技术进步（一）抑制光伏产能盲目扩张。严格控制新上单纯扩大产能的多晶硅、光伏电池及组件项目。光伏制造企业应拥有先进技术和较强的自主研发能力，新上光伏制造项目应满足
单晶硅光伏电池转换效率不低于20%、多晶硅光伏电池转换效率不低于18%、薄膜光伏电池转换效率不低于12%，多晶硅生产综合电耗不高于100千瓦时/千克。加快淘汰能耗高、物料循环利用不完善、环保不达标

索比光伏网讯:四、加快产业结构调整和技术进步（一）抑制光伏产能盲目扩张。严格控制新上单纯扩大产能的多晶硅、光伏电池及组件项目。光伏制造企业应拥有先进技术和较强的自主研发能力，新上光伏制造项目应满足
单晶硅光伏电池转换效率不低于20%、多晶硅光伏电池转换效率不低于18%、薄膜光伏电池转换效率不低于12%，多晶硅生产综合电耗不高于100千瓦时/千克。加快淘汰能耗高、物料循环利用不完善、环保不达标