单晶硅太阳电池

，将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究，在相关关键技术上形成自主的知识产权，并将研究结果产业化;同时锻炼一批具有较高理论和技术水平的青年工程师和科学家，在太阳电池

的理想转换效率的上限值为33%左右;商品单晶硅太阳能电池的转换效率一般为12%-15%，高效单晶硅太阳能电池的转换效率为18%-20%。太阳能电池的光谱晌应太阳能电池的光谱响应，与太阳能电池的结构
、材料性能、结深、表面光学特性等因素有关，并且它还随环境温度、电池厚度和辐射损伤而变化。光谱响应表示不同波长的光子产生电子-空穴对的能力。定量地说，太阳电池的光谱响应就是当某一波长的光照射在电池表面上时

核心，走差异化竞争道路。晶澳量产化的太阳能电池转换效率一直维持在行业内较高水平，单晶硅太阳能电池的平均转换效率达到18.8%，多晶硅达到17.4，准单晶达到18.5%。在发展过程中，晶澳注重与学术机构
增强晶硅光吸收方面取得进展。本次双方进行战略合作并建立光伏创新研究中心，将在高性能硅基太阳电池技术、低成本薄膜太阳电池技术和第三代高效太阳电池探索研究，在相关关键技术上形成自主的知识产权，并将研究结果

本周光伏产品价格小幅下滑，其中多晶硅价格下降0.08%至24.64美元/kg,156多晶硅片下降0.65%至1.074美元，125单晶硅片下降0.67%至0.886美元/kg；156多晶电池片下降
，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。 　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。 　　为保证《规划》顺利实施，科技部提出将鼓励各类社会资本的投入

效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备
自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。　　沈一扬认为，上述目标将进一步推进太阳能光伏的产业化发展。据悉

年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权
转换效率方面，骨干企业产品性能增长较快，单晶硅太阳能电池转换效率达到17%-19%，多晶硅太阳能电池转换效率为15%-17%，薄膜等新型电池转换效率约为6%-8%。我国太阳能热发电技术起步较晚，目前仍无

，从而使少子寿命降低，但经过退火处理，少子寿命又可恢复，其反应为：正是由于掺硼单晶硅在光照条件下硼氧复合体的生成，引起少子寿命的下降，最终导致太阳电池和组件功率的下降。光致衰减的危害光伏组件的早期
索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
产品质量逐年提升，尤其是在转换效率方面，骨干企业产品性能增长较快，单晶硅太阳能电池转换效率达到17%-19%，多晶硅太阳能电池转换效率为15%-17%，薄膜等新型电池转换效率约为6%-8%。 　　我国

%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
较快，单晶硅太阳能电池转换效率达到17%-19%，多晶硅太阳能电池转换效率为15%-17%，薄膜等新型电池转换效率约为6%-8%。 　　我国太阳能热发电技术起步较晚，目前仍无太阳能热发电项目运行