单晶电池项目
: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品
的要求;
2.多晶硅片 (含准单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻
率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和
18PPMA;单晶硅
2
片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10 和 18PPMA;
3.多晶硅电池和
：1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1 级品的要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16 和18PPMA；单晶硅片少子寿命
大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10 和18PPMA；3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于 2s，电阻
率在 1-3.cm，碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA；单晶硅3
片少子寿命大于 10s，电阻率在 1-3.cm，碳、氧含量分
别小于 10
和 18PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低
于 16%和 17%；
4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率
分别不低于 14.5%和 15.5%；
5.
，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；5.电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/MWp；6.
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；3.
瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片;5.电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/MWp
要求;2.多晶硅片(含准单晶硅片)少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA
瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；5.电池项目平均综合能耗小于15万千瓦时/ MWp
要求；2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA
能不低于1000吨；硅棒年产能不低于1000吨；硅片年产能不低于5000万片；晶硅电池年产能不低于200MWp；晶硅电池组件年产能不低于200MWp；薄膜电池组件年产能不低于50MWp。多晶硅电池和单晶
硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别
万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于55万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片；
5.电池项目平均综合能耗小于15万千
光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3。cm，碳、氧含量分别
。
（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：
1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；
2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在
1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；
3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17
多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于16和18PPMA；单晶硅片少子寿命大于10s，电阻率在1-3.cm，碳、氧含量分别小于10和18PPMA；3.多晶硅电池
和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于16%和17%；4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于14.5%和15.5%；5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池
