单晶电池技术

太阳能电池GB2297－89 太阳能光伏能源系统术语；GB2296－2001 太阳能电池型号命名方法；GB12632－90 单晶硅太阳能电池总规范；GB6497－1986 地面用太阳能电池标定的一般
TDZ系列太阳能光伏户用直流电源――青海省地方标准。与光伏系统相关的蓄电池国家标准GB 13337.1-91 《固定型防酸式铅酸蓄电池技术条件》;GB 5008.1-85 《起动用铅酸蓄电池技术要求

产业规模，提高技术经济效益。 2．目标 提高效率，降低成本，扩大规模，推动我国光伏产业发展发展高效率、低成本多晶硅太阳电池技术，攻关与引进相结合，建立一条年生产能力为兆瓦级的生产线。提高
单晶硅太阳电池组件的效率，降低生产成本，发挥现有生产能力，满足市场需求。 3．内容 ①兆瓦级多晶硅太阳电池组件生产线的建立主要技术经济指标： 组件效率13％ 组件寿命20～25年

，促进太阳能行业发展，使其进入良性发展，尽快具备国际竞争力。 1　光伏应用现状 　　随着太阳能电池及其组件制造技术的进步，单晶硅电池片光电转换效率已接近30%，太阳能光伏系统也从原来的
和游牧民族生活用电、通信供电电源等采用，同时随着电池技术的进步与发展，户用光伏并网发电系统逐步走向城市。光伏发电与建筑的完美结合，构成的屋顶户用光伏并网发电系统，更是前景诱人，市场广阔。

)42.047.054.058.261.070.781.090.612 表3商品化光伏直流组件效率预测(%) 电池技术199019952000 2010 单晶硅12151822 浇铸多晶硅11141620 带状硅12141721

输出了6条MW级生产线。美、日各公司还用自己的产品分别安装了室外发电的试验电站，最大的有100kW容量。在80年代中期，世界上太阳电他的总销售量中非晶硅占有40％，出现非晶硅、多晶硅和单晶硅三足鼎立
，这就构成了非晶硅太阳电池下一阶段发展的主要任务。3．非晶硅太阳电池技术的发展3．1非晶硅太阳电池技术完善与提高 由于发展势头遭到挫折，80年代未m年代初，非晶硅太阳电他的发展经历了一个调整、完善

薄膜电池的研究开发成为近几年的热点。另一方面，采用薄片硅技术，避开拉制单晶硅或浇铸多晶硅、切片的昂贵工艺和材料浪费的缺点，达到降低成本的目的。严格说，后者不属于薄膜电他技术，只能算作薄片化硅电池技术
生产和市场发展3．1商业化电池技术 （1）常规商业化电池：商业化晶硅电池主要结构是p呗结。绒面、背场和减反射涂层被普遍采用，细栅金属化技术在不断改进，单晶硅商业化电池效率在13一16％之间

晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类，用P型（或n型）硅衬底，通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作，生产技术成熟，是光伏市场上的主导产品。采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及
接触电极等技术，提高材料中的载流子收集效率，优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式，光电转换效率有较大提高。单晶硅光电池面积有限，目前比较大的为 ∮10至20cm的圆片，年产能力46MW

「开发高效率与低成本矽晶太阳电池」，目前单晶矽转换效率为17%，多晶矽为15%，预计2010年前单晶矽可达20%，多晶矽可达18%，薄晶片生产技术厚度小於 170微米，每千瓦成本由 3美元降到 2美元
太阳电池技术开发，转换效率为10.12%。　　而化合物薄膜太阳电池未来材料成本为每瓦 1美元，发电成本为每度电10美分；第三代太阳电池目标为开发光电转换效率 10%的小型元件。　　并由能源局「建立太阳光电

产业规模，提高技术经济效益。 2．目标 提高效率，降低成本，扩大规模，推动我国光伏产业发展发展高效率、低成本多晶硅太阳电池技术，攻关与引进相结合，建立一条年生产能力为兆瓦级的生产线。提高
单晶硅太阳电池组件的效率，降低生产成本，发挥现有生产能力，满足市场需求。 3．内容 ①兆瓦级多晶硅太阳电池组件生产线的建立主要技术经济指标： 组件效率13％ 组件寿命20～25年