单晶电池技术

方面着手。（1）减小入射光反射率：又可分成表面绒面织构化和减反射膜两个方面。表面绒面织构化最典型的应用就是碱制绒制备单晶硅电池的金字塔绒面结构。采用选择性腐蚀NaOH溶液，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率
结构示意图（3）减小电阻损耗：减小正面电极的电阻损耗往往需要和减小正面电极的遮光面积之间进行平衡。其中在工业化生产中应用最成熟的是细栅密栅电池技术。在不降低正面电极总的印刷浆料增重的前提下，将细栅线宽

：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池（CIGS）、碲化镉薄膜太阳能电池（CdTe）。过去，市场对薄膜太阳能电池技术存在误解，认为其转化率低、有衰退，但这一误解主要缘于硅基薄膜电池。非硅薄膜
太阳能市场上占据主导，同时单晶硅也强势回归，在这种背景下，薄膜太阳能电池的优势体现在哪里？孙云：薄膜电池材料消耗少、制备能耗低。在柔性衬底上制备的薄膜电池，具有可卷曲折叠、不拍摔碰、重量轻、弱光性能好等

4月26日，天合光能光伏科学与技术国家重点实验室宣布，经第三方权威机构JET独立测试，以23.5%的光电转换效率创造了156156 mm2大面积N型单晶硅IBC电池的世界纪录。这一数值突破天合光能
金属线。这不仅为使用者带来更多有效发电面积，也有利于提升发电效率，外观上也更加美观。天合光能光伏科学与技术国家重点实验室研制的这一破纪录的N型单晶硅大面积IBC电池，采用了先进的背面电极交叉结构设计及

70%，连续8年位居世界第一，在全球光伏电池产量排名前10名企业中，我国占据5席。光伏产业技术进步明显加快。我国光伏制造产业继续向高效化和精细化发展，光伏电池技术和质量位居世界前列。其中，多晶硅
生产成本下降到16美元/千克以下，并能实现四氯化硅闭环工艺，彻底解决了四氯化硅的排放和污染环境的问题；光伏电池制造业技术进步不断加快，商业化产品效率平均每年提升约0.5个百分点，单晶及多晶电池产业化效率分别

流化床法等产业化进程加快；单晶及多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗
转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流组件产品功率将达到265~270W。硅烷流化床法多晶硅生产工艺有望实现规模化生产，单晶连续投料生产工艺和G7、G8大容量铸锭技术持续进步

工艺技术研发力度，生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降，综合成本已降至9万元/吨，行业平均综合电耗已降至100kWh/kg，硅烷法流化床法等产业化进程加快;单晶及多晶电池技术持续改进
，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6~0.9元/千瓦时。2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流

主要有3种：硅基薄膜太阳能电池、铜铟镓硒薄膜太阳能电池（CIGS）、碲化镉薄膜太阳能电池（CdTe）。过去，市场对薄膜太阳能电池技术存在误解，认为其转化率低、有衰退，但这一误解主要缘于硅基薄膜电池。非
太阳能市场上占据主导，同时单晶硅也强势回归，在这种背景下，薄膜太阳能电池的优势体现在哪里？孙云：薄膜电池材料消耗少、制备能耗低。在柔性衬底上制备的薄膜电池，具有可卷曲折叠、不拍摔碰、重量轻、弱光性能好等

工艺技术研发力度，生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降，综合成本已降至9万元/吨，行业平均综合电耗已降至100kWh/kg，硅烷法流化床法等产业化进程加快；单晶及多晶电池技术持续改进
，光伏发电系统投资成本降至8元/瓦以下，度电成本降至0.6~0.9元/千瓦时。2016年，技术进步仍将是产业发展主题。预计产业化生产的多晶硅电池转换效率将超过18.5%，单晶硅电池有望达到20%，主流

，我国光伏企业加大工艺技术研发力度，生产工艺水平不断进步。骨干企业多晶硅生产能耗继续下降，综合成本已降至9万元/吨，行业平均综合电耗已降至100kWh/kg，硅烷法流化床法等产业化进程加快；单晶及
多晶电池技术持续改进，产业化效率分别达到19.5%和18.3%，钝化发射极背面接触（PERC）、异质结（HIT）、背电极、高倍聚光等技术路线加快发展；光伏组件封装及抗光致衰减技术不断改进，领先企业组件