单晶生长

硅锭质量方面，刘杰认为，借鉴单晶生长技术，采用低压排杂可以降低碳含量；而采用真空退火工艺，可以减少硅锭头部杂质含量，特别是氮化硅粉在表面的沉积，提高头部的少子寿命、降低切片破片率并节省氩气用量，约

提高导电程度，形成n型硅半导体。单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。单晶硅主要用于制作半导体元件。用途：是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率

　　中环股份（002129）10月12日午间公告，公司全资子公司天津环欧半导体材料技术有限公司，针对未来全球光伏市场对高效率太阳能电池的发展需求，利用多年在半导体级直拉区熔（CFZ）晶体生长技术的
持续研发和专业经验，成功研发了 “适用于太阳能单晶的新型直拉区熔法单晶（CFZ单晶）硅片”，并已申请发明专利。　　公司表示，当前，公司正在充分讨论太阳能级CFZ单晶硅片规模化制造，并已进入商业谈判阶段，力争在较短的时间内将新技术投入产业，对当期经营业绩不会产生重大影响，但对公司未来的业绩产生积极的影响。

环节。传统制造硅单晶的过程生长成本较高，相当于0.3美元/瓦，而通过铸造的办法制造的多晶制造成本只有0.06美元/瓦。单晶整个的组件成本在1美元/瓦，多晶铸造大概在0.94美元/瓦。单、多晶最大的区别

浇铸法，加上更低成本的切片方法，可生长出接近单晶的类单晶硅晶圆，已验证的平均效率在17.5%以上，甚至最高可达18.04%。 　VirtusWafer能将一般多晶电池的平均电池转换效率从16.5

上市，所募资金投向年产300台多晶硅铸锭炉扩建项目、技术研发中心建设项目和年产400台全自动单晶硅生长炉扩建项目，投资额分别为31346万元、4996万元和13485万元。目前这三个项目的环评报告均已
了投料量涵盖45公斤至300公斤的TDR70A和TDRl30A等九种规格的单晶生长炉，是国内规格最齐全、可满足IC行业要求的高水平单晶炉设备。　　值得提及的是，晶盛机电在业内具有较高的名声，这要归功于公司

拟在A股上市，所募资金投向年产300台多晶硅铸锭炉扩建项目、技术研发中心建设项目和年产400台全自动单晶硅生长炉扩建项目，投资额分别为31346万元、4996万元和13485万元。目前这三个项目的环评
量涵盖45公斤至300公斤的TDR70A和TDRl30A等九种规格的单晶生长炉，是国内规格最齐全、可满足IC行业要求的高水平单晶炉设备。值得提及的是，晶盛机电在业内具有较高的名声，这要归功于公司的创办人

传统多晶浇铸法，加上更低成本的切片方法，可生长出接近单晶的类单晶矽晶圆，已验证的平均效率在17.5%以上，甚至最高可达18.04%。Virtus Wafer能将一般多晶电池的平均电池转换效率从16.5

Wafer ，采用传统多晶浇铸法，加上更低成本的切片方法，可生长出接近单晶的类单晶矽晶圆，已验证的平均效率在17.5%以上，甚至最高可达18.04%。Virtus Wafer能将一般多晶电池的平均电池转换效率

，采用传统多晶浇铸法，加上更低成本的切片方法，可生长出接近单晶的类单晶矽晶圆，已验证的平均效率在17.5%以上，甚至最高可达18.04%。VirtusWafer能将一般多晶电池的平均电池转换效率从16.5