单晶生长

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上澎科技——智能硅太阳能薄膜电池项目来源: 发布时间:2012-01-08 23:59:59

上面生长异质结薄膜,并成功制造出和以高纯度多晶制造的电池转换效率相近的电池,是这个技术领域里全世界取得如此高转换效率的第一家企业。上澎所采用的金属硅成本只有多晶硅成本的六分之一,有效光电转换率达到与
,世界市场占有率最高的太阳能电池是单晶硅或多晶硅的晶体硅太阳能电池,约占到市场整体的85%。此类太阳能电池的转换效率和耐用程度都比较稳定可靠,但还是需要进一步降低成本和提高效率。目前有部分企业正在做这方

“双反”阴影下的光伏产业来源: 发布时间:2012-01-06 14:14:59

。由此看出国内市场也在积极的准备之中,但我们的光伏产品的制造设备还主要依赖进口,最大的利润环节还是由外国企业拥有。目前我们知道,从整个晶硅太阳能生产产业链来看,国产单晶生长炉、多晶硅铸锭炉、线切方机
单晶槽式清洗/制绒机等设备已经接近或达到国际先进水平,基本可以满足行业的需要,可替代进口设备,目前市场占有率也相对较高。扩散炉和PECVD,目前大量应用的国产设备都是管式的,由于可以满足生产工艺的要求

京运通多晶硅定向生长凝固炉获能源进步奖来源: 发布时间:2011-12-30 10:45:59

系数和整个系统的有效功率。北京京运通科技股份有限公司成立于2002年8月8日,并于2008年10月31日改制为股份有限公司,注册资金3.7亿元人民币,公司总资产达17亿元人民币,是我国真空晶体生长设备(包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等)研发制造于一体的专业生产厂家。

京运通JZ-460/660多晶硅定向生长凝固炉获国家能源科技进步奖来源: 发布时间:2011-12-30 09:56:34

提高功率的转换系数和整个系统的有效功率。北京京运通科技股份有限公司成立于2002年8月8日,并于2008年10月31日改制为股份有限公司,注册资金3.7亿元人民币,公司总资产达17亿元人民币,是我国真空晶体生长设备(包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等)研发制造于一体的专业生产厂家。

晶龙集团 创新之火温暖“光伏寒冬”来源: 发布时间:2011-12-29 23:59:59

少子寿命太阳能级硅单晶棒产业化项目,一期工程如期完成,正在进行试生产;石家庄晶龙半导体晶体生长设备制造产业化及年产1800万片大直径、低氧碳超薄硅片项目,预计明年4月投产寒冬终将过去,晶龙正为下一步的发展积蓄着市场实力。

京运通JZ-460/660多晶硅定向生长凝固炉获得国家能源科技进步奖来源: 发布时间:2011-12-28 23:59:59

为股份有限公司,注册资金3.7亿元人民币,公司总资产达17亿元人民币,是我国真空晶体生长设备(包括软轴单晶炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉、多晶硅还原炉等)研发制造于一体的专业生产厂家。  转载请注明出处:世纪新能源网 或 Ne21.com

国内首颗8英寸区熔单晶硅研制成功来源: 发布时间:2011-12-28 09:30:05

单晶生长技术的封锁。将进一步提升中国企业在这两个领域的竞争力,加速产业升级。中新网能源频道了解到,区熔单晶硅已成为IGBT的主体功能性材料。IGBT是新一代的功率半导体器件,其技术应用的核心是通过

中环股份突破8英寸单晶硅技术 将进军高效光伏电池来源: 发布时间:2011-12-26 09:21:43

,国内在单晶生长上有两种技术,直拉法和区熔法。由于生产工艺不同,区熔法做到6英寸以上尚有难度。目前,国际主流单晶硅产品主要集中在5~6英寸,而中环股份早于2009年就已研制出7英寸区熔单晶硅,此次公布

中环股份:成功拉制国内首颗8英寸区熔硅单晶来源: 发布时间:2011-12-22 23:59:59

单晶生长上有两种技术,分别为直拉和区熔法。由于方法工艺不同区熔做到6英寸以上尚存巨大难度。区熔产品是IGBT的主要材料,可应用于电力电子领域、光电子、探测器领域和太阳能电池应用领域。  资料显示,目前
索比光伏网讯:天津中环半导体股份有限公司(以下简称中环股份)22日下午在天津召开新品发布会,对外公布了三项新产品:包括国内首颗8英寸区熔硅单晶、(110)晶向直拉硅单晶以及CFZ高效太阳能电池硅单晶

光伏产业应直击“双反” 积极开拓国内市场来源: 发布时间:2011-12-13 13:55:23

全球光伏市场对高效率太阳能电池的发展需求,利用多年在半导体级直拉区熔(CFZ)晶体生长技术(公司独有专利,专利号:ZL00105518.6)的持续研发和专业经验,成功研发了适用于太阳能单晶的新型直拉区
,2000年成功研发了半导体级直拉区熔(CFZ)晶体生长技术,随后应用于光伏产业,并获得国家专利授权。公司公告中也提出由于CFZ单晶生长技术可采用相对等级较低的多晶原料,太阳能级CFZ晶片的规模