单晶生长

关键技术包括横向MCZ技术和单晶炉热屏技术，其中MCZ技术处于国际领先水平、单晶炉热屏技术处于国内领先水平。公司的横向MCZ技术通过在CZ生长炉体上加设一种横向磁体结构，使单晶在强磁场环境下生长。实验数据

技术处于国内领先水平。 　　公司的横向MCZ技术通过在CZ生长炉体上加设一种横向磁体结构，使单晶在强磁场环境下生长。实验数据显示：同普通CZ太阳能级硅单晶相比，由于磁场抑制了热对流，有效地减少

能25吨，计划后续30台单晶炉6月投产，月产能提升至60吨。30台单晶生长炉于2011年8月进入试投产阶段，试产阶段生产及设备运行状况良好，生产单晶硅棒平均成品率75%，产品送检一次性合格率98

形成机理和结构进行了系统研究，取得了圆满成果，获得国家发明专利、获河北省科技进步奖。首次发现晶硅电池光照10小时后的光衰，发明了掺镓硅单晶生长工艺，解决了长期困扰国内外光伏界的光衰难题，获得了中国
发明专利和美国发明专利，解决了P型晶硅太阳能电池10小时光照后的光电转换效率衰减，并研究确立了P型晶硅太阳能电池光衰机理；首次发明在晶体生长过程中利用氩气流场实现N型和P型硅单晶棒中心和表皮少子寿命均

、教授、博士生导师，硅材料国家重点实验室主任；浙江大学半导体材料研究所所长、教育部长江学者奖励计划特聘教授,国家杰出青年基金获得者。长期从事半导体硅材料的研究，在硅晶体的晶体生长、缺陷工程的基础研究上取得
：单晶硅太阳电池，多晶硅太阳电池，非晶硅薄膜太阳电池，太阳电池产业政策，太阳电池电价政策，太阳电池应用开发；共发表论文160余篇，合作申请专利45项，参与了一系列太阳电池的应用产品的研制。 赵 颖

自然科学基金的资助下对辐照施主的形成机理和结构进行了系统研究，取得了圆满成果，获得国家发明专利、获河北省科技进步奖。首次发现晶硅电池光照10小时后的光衰，发明了掺镓硅单晶生长工艺，解决了长期困扰国内外光伏
硅单晶棒中心和表皮少子寿命均1000s的工艺专利并研究确立了N型和P型高少子寿命晶体生长的工艺机理。该发明的成功为中国尽快进入N型高效电池工艺领域打下强有力的工艺和理论基础。截至目前，任丙彦在核心期刊上共

由中石化舒兴田院士等与洛阳晶像硅业科技有限公司提供的直拉生长法（CZ）；该公司将引进单晶炉（MCZ-6000HB）200台、刀开方（QF210）60台、线开方(MBS1000)6台、线切片
索比光伏网讯:世纪新能源网（记者张松）讯，洛阳中先硅业有限公司投资的16.5亿元的300兆瓦太阳能单晶硅片项目于近日开工，预计10月份投产。据悉洛阳中先硅业有限公司成立于2009年4月，改公司艺技术

电池片成本的降低和转换效率的提高。目前，从整个晶硅太阳能生产产业链来看，国产单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、线切方机等设备已经接近或达到国际先进水平，基本可满足行业需要。国产多线切割机、全自动丝网印刷机等

。线锯产品市场硅片供应商和希望自己控制切片工艺的整合晶体硅光伏组件生产商都需要使用线锯设备。单晶硅和多晶硅光伏技术都需要使用到它。大多数光伏线锯设备是硅片供应商购买的。他们一般生长硅锭或者硅块、将硅
索比光伏网讯:硅片切割是太阳能光伏电池制造工艺中的关键部分。该工艺用于处理单晶硅或者多晶硅的固体硅锭。线锯首先把硅锭切成方块，然后切成很薄的硅片。(图1)这些硅片就是制造光伏电池的基板。图 1.

公司ＬＥＤ ＭＯＣＶＤ项目研发能够达到预期，将在２０１３年占有一定的市场份额。 　　２、竞争对手和行业地位 　　目前太阳能用单晶硅生长炉已经基本实现国产化，国内市场光伏用单晶炉基本为国内厂商提供
　　一、 报告期内公司经营情况的回顾 　　公司报告期内总体经营情况 　　总体来说，２０１１年是全球光伏行业不景气的一年，目前为止，公司的业务主要围绕光伏设备生产销售单晶炉、多晶炉、光伏耗材等，因此