单晶生长

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李仙寿:光伏走近比拼精细创新的时代来源:环球企业家 发布时间:2012-06-10 23:59:59

高端产品。李解释说。李仙寿同时也是业内为数不多真将创新打造为企业内在基因的人。一次在无氧单晶研发中,项目执行者曾提出花费一千万元生产一台坩埚用作实验设备。成不成谁也不知道,他提出来,试图证明是可行的,我
也没有否定。李回忆说。李最终花费一千万元生产实验坩埚,这项投资即将获得回报无氧单晶已在实验室内证明可行。这完全迥异于其胞弟李仙德。后者在2006年创办了光伏制造企业晶科,对技术工艺研发嗤之以鼻,其购买

李仙寿逆势下注 产能扩张已成中国光伏旧事来源: 发布时间:2012-06-09 08:55:59

。李仙寿同时也是业内为数不多真将创新打造为企业内在基因的人。一次在无氧单晶研发中,项目执行者曾提出花费一千万元生产一台坩埚用作实验设备。成不成谁也不知道,他提出来,试图证明是可行的,我也没有否定。李
回忆说。李最终花费一千万元生产实验坩埚,这项投资即将获得回报无氧单晶已在实验室内证明可行。这完全迥异于其胞弟李仙德。后者在2006年创办了光伏制造企业晶科,对技术工艺研发嗤之以鼻,其购买设备快速扩充产能

Lux Research:新兴光伏技术或将提升产业利润来源: 发布时间:2012-06-08 17:11:59

技术科降低原材料成本,并减少铟和镓的使用。硅外延 (epi-Si)则是在硅单晶衬底上沿其原来的晶向再生长一层硅单晶薄膜的半导体硅材料 ,或许它将能代替非晶硅原料并提升转换效率。

晶盛机电1.5亿投资追问:逆市扩产市场在哪来源: 发布时间:2012-06-08 10:18:48

投资4.7667亿元用于年产400台全自动单晶生长炉扩建项目、年产300台多晶硅铸锭炉扩建项目和技术研发中心建设项目。募投项目达产后,单晶生长炉产品年产能将达到700台,为现有产能的2.33倍

我国光伏竞争力和国产化水平仍需提高来源: 发布时间:2012-06-07 16:21:59

装备相比,国产装备的自动化程度普遍不高。目前单晶炉大部分是以半自动为主,只能实现等径生长、收尾等过程的自动控制,仍没有实现真空获得、加热融化、引晶放肩、等径生长、收尾等全过程自动控制,而国外先进企业及

晶盛机电拟1.8亿投建单晶炉项目来源: 发布时间:2012-06-07 11:39:59

晶盛机电今日公告,拟使用1.5亿元超募资金投资年产25台8英寸区熔硅单晶炉项目,项目达产后有望为公司新增3.21亿元年收入。晶盛机电主营自主品牌的晶体硅生长设备及其控制系统的研发、制造和销售,部分
产品应用于半导体集成电路产业,主要产品包括全自动单晶生长炉、多晶硅铸锭炉及单晶生长炉控制系统。本次单晶炉项目总投资1.8亿元,公司拟投入自有资金3000万元,以及使用超募资金1.5亿元,项目建设期为

全球光伏发展简史(独家)来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-06-07 08:59:59

。1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔(Nobel)物理奖。1930年B.Lang研究
-氧化亚铜整流器和光电池论文。1941年奥尔在硅上发现光伏效应。1951年生长p-n结,实现制备单晶锗电池。1953年Wayne州立大学DanTrivich博士完成基于太阳光普的具有不同带隙宽度的各类

LDK资深副总裁兼CTO万跃鹏:债务是赛维的大问题【独家】来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2012-06-06 11:12:59

随着光伏危机的进一步深化,降低生产成本和提高电池的光电转化效率成为每家光伏企业生存发展无法回避的问题。技术变革是降低成本的重要手段,赛维LDK在这方面也一直走在前端,其着力研发的类单晶技术证实了
维新产品、新工艺和设备国产化的研发,以及硅料回收利用、硅晶体的生长技术、低成本低能耗高产出的长晶设备、硅片切割清洗工艺的改进及提高做出了卓越的贡献。彼时火爆的太阳能光伏市场与赛维的技术创新相得益彰,使得赛维

日晶新能源面临光伏产业五大投资风险来源: 发布时间:2012-06-06 08:46:59

宁夏日晶新能源装备股份有限公司(以下简称日晶新能源)是专业的直拉式硅单晶生长炉生产厂家,目前其IPO申请已经获得证监会的审核通过。查阅其招股书,其特别提醒投资者注意五大投资风险。其中所指的五大
风险分别为:行业波动风险、产业政策风险、技术研发及核心技术人员流失风险、技术替代风险、市场竞争加剧风险等。(1)行业波动风险公司主要向光伏产业链中上游提供晶体生长装备,属于光伏装备制造业,与光伏行业相比其

IMM倒置变形与多结光伏发展沿革来源: 发布时间:2012-06-05 10:13:39

集团将采用业界领先的氮化镓(GaN)和砷化镓(GaAs)技术造出新型高功率高性能产品。IMM生长系统IMM的能力来自于电池的生长过程这一技术颠复3结电池的通常顺序,先沈积顶层,最后是底层。与传统光伏电池
不均匀的原子间距可提高太阳能转换效率。这项技术的一大优势是昂贵的基板可以重复使用,降低了生产成本。此外,把手材料未必要单晶矽或半导体,具体应用可具体选择,从而让装置轻薄化成为可能。由于磷化镓铟和砷化镓铟