单晶生长设备

MCZ法生长硅单晶，已进入实用阶段。 利用磁场进行晶体生长研究的历史如表1所示。 四、设备 近年来出现的MCZ法是一种很有前途的方法。 MCZ法又可细分

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

德国Schmid Group 史少武/张永安 自动化大规模生产太阳电池的技术 17:00-17:20 西安华德晶体生长设备公司 邱宗明 教授 CZ硅单晶生长技术与设备 17

生长→切断→外径滚磨→平边或V型槽处理→切片 　　倒角→研磨 　　　腐蚀--抛光→清洗→包装 　　切断：目的是切除单晶硅棒的头部、尾部及超出客户规格的部分，将单晶硅棒分段成切片设备可以处理的长度，切

越来越重要的位置。 　　目前可生产的太阳能电池主要有多晶硅太阳能电池、单晶硅太阳能电池、非晶硅太阳能电池和多晶薄膜与薄膜太阳能电池。 　　严峻的晶硅短缺使越来越多的晶硅太阳能电池生产设备处于停产
台湾泰华集团投入巨资在沈阳成立沈阳汉锋新能源技术有限公司和沈阳汉锋真空技术有限公司，汉锋通过和美国瑞思新能源公司合作，成功制造出新一代非晶硅薄膜太阳能生产设备。公司2007年底即将

坚实的基础，进而赶超世界先进水平。我们在薄膜太阳电池研究方面主要进行ＣＶＤ法和ＰＥＣＶＤ法研究。在ＣＶＤ方法的研究方面，我们自行设计加工了一台ＣＶＤ设备，并开展了生长单晶硅和多晶硅薄膜的研究。在重掺

可以在平面和非平面衬底上生长，能获得结构十分完美的材料。用LPE技术生长晶体硅薄膜来制备高效薄膜太阳电池，近年来引起了广泛兴趣。 LPE生长可以进行掺杂，形成n-型和p-型层，LPE生长设备为

衰退效应。这里，化学处理粒子是用附加的设备产生的。 氢稀释法则采用大量（数十倍）氢稀释硅烷作源气淀积a-Si合金薄膜。实际上，一边生长薄膜一边对薄膜表面作氢处理。原理一样，方法更简单，效果基本
材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的

制造片状硅或带硅的技术。在80年代国际上曾出现过很多种生长硅带的方法，但大部分都处于实验室阶段，其原因是：（1）在高温过程中通过设备引入了过多杂质，达不到要求的纯度；（2）在再结晶过程中要求的高冷却速率
光电他的报道出现于1941年。贝尔实验室Chapin等人1954年开发出效率为6％的单晶硅光电池，现代硅太阳电池时代从此开始。硅太阳电他于1958年首先在航天器上得到应用。在随后10多年里，硅太阳电池在

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在