单晶生长炉

高压器件，并为扩大CZ硅单晶的应用展现了新的前景。 七、结语 用MCZ法生长硅单晶，具有无可比拟的优越性。很可能在不久的将来，附带磁场装置的新型单晶炉就会问世。 MCZ法

，以新的面目出现在半导体硅工业中，显现其独特的优点。1982年，Keigo Hoshikawa在轴对称垂直磁场中，生长了无条纹的CZ硅单晶。目前有几个公司正在研究和应用这个方面。据报道，索尼公司应用
MCZ法生长硅单晶，已进入实用阶段。 利用磁场进行晶体生长研究的历史如表1所示。 四、设备 近年来出现的MCZ法是一种很有前途的方法。 MCZ法又可细分

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

德国Schmid Group 史少武/张永安 自动化大规模生产太阳电池的技术 17:00-17:20 西安华德晶体生长设备公司 邱宗明 教授 CZ硅单晶生长技术与设备 17

将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 　　单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片 　　加工流程： 　　单晶

光源将石墨样品托架加热到1200℃。试验所用衬底为重掺杂磷非活性单晶硅片或非硅质底材。在1030℃下薄膜生长速率为10nm／s，研究了薄膜生长特性，薄膜的微结构，并研制了多晶硅薄膜电池，电池结构为金属

潜力。2．1．1单晶硅材料 单晶硅材料制造要经过如下过程：石英砂一冶金级硅一提纯和精炼一沉积多晶硅锭一单晶硅一硅片切割。 硅主要以siO2形式存在于石英和砂子中。它的制备主要是在电弧炉中用

集成电路与太阳能用单晶硅生长设备，在我国首次研制成功。 　　单晶炉是直拉法制备硅单晶的关键技术装备，所制备的硅单晶主要用于集成电路元件和太阳能电池。在我国，以单晶炉为代表的晶体生长设备一直存在

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