单晶生长炉

of Technology)的研究人员已证明，在GT先进铸锭炉中生长的单铸硅材料的平均电池效率达18.8%，最高效率超过19%。 佐治亚理工学院光伏研究与教育卓越中心(Center
蓝宝石和硅晶体生长系统和相关材料的全球性供应商GT Solar International, Inc.（纳斯达克股票代码：SOLR）今天宣布，佐治亚理工学院(Georgia Institute

18.3%，但同时，准单晶铸锭也拥有直拉单晶硅没有的优势——— 直拉单晶硅每生长炉可投料100公斤左右，而准单晶硅铸锭炉单次投料可达430公斤左右，是直拉单晶硅的4倍多。直拉单晶电池片衰减率在2%以上

，微观生长速率受热起伏而产生的周期性变化造成杂质有效分凝系数起伏造成的。旋涡缺陷典型位错密度为106～107cm-3，远高于太阳能级单晶Si片所要求的缺陷密度(小于3 000 cm-3
512512像素的图像，曝光时间为1 s。整个实验装置由微机程序控制。虽然PL可以直接测量Si片，但为了实验的对比性，本文均采用对电池的测量图像作对比。 　　2 结果与分析　　2.1 原材料原因　　单晶

%，准单晶铸锭的光电转换率最高为18.3%，但同时，准单晶铸锭也拥有直拉单晶硅没有的优势直拉单晶硅每生长炉可投料100公斤左右，而准单晶硅铸锭炉单次投料可达430公斤左右，是直拉单晶硅的4倍多。直拉

单晶硅电池片不相上下的转换效率，目前，该集团直拉单晶硅光电转换率最高为18.5%，准单晶铸锭的光电转换率最高为18.3%，但同时，准单晶铸锭也拥有直拉单晶硅没有的优势——直拉单晶硅每生长炉可投料100公斤

兆瓦光伏发电项目等。中国航天集团航天材料及工艺研究所投资50亿人民币在庆云县建设碳/碳复合材料项目，其中将生产单晶生长炉和多晶铸锭炉中所需的耐高温材料。此外天津翔昊新材料在庆云县投资一亿人民币建设碳碳复合材料项目，其中的高纯度碳坩埚将用于单晶炉。

新材料、新能源、机械制造等多个领域。其中，由中国航天集团航天材料及工艺研究所投资50亿元建设的碳/碳复合材料项目主要生产核电站用碳球、碳棒等高温工业制造用材及单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉用耐高温材料，将

置CUSP磁场、可拉制12英寸的半导体级单晶，是目前国内投料量最大的单晶生长炉。 公司产品现已在有研硅股、天津环欧、台湾合晶、峨嵋半导体、万向硅峰、立立电子等高端半导体企业和中环股份、英利、LDK、环太

提升设备的适应性，开展技术创新，提高设备工艺物化，从设备和工艺两方面来提高转换效率、降低光伏成本。 在LED生产过程中需要很多设备，从蓝宝石衬底加工用的单晶炉、多线切割、研磨抛光等设备，到MOCVD
发展以下设备： 1.集成电路生产设备。8英寸90nm集成电路可以交钥匙的生产线设备;12英寸65nm集成电路关键设备的产业化;8英寸半导体级单晶生长、切割、磨片、抛光设备产业化，12英寸半导体级单晶生长

和组件厂商都计划大幅扩产，规划产能的年均增长率约60%~70%，不少企业扩产率超过100%。预计到2011年底，国内太阳能电池总产能达到15GW。因此，多晶硅铸锭炉、单晶硅生长炉、开方机、多线切割机等