单晶生长炉

。该项目总投资5100万元，以准单晶硅锭生长、热场系统、主体结构、PLC控制系统的研究设计以及固化准单晶铸锭工艺等为实施内容，最终实现准单晶铸锭设备产业化。预计，项目实施后可初步形成年产铸锭炉100台的

项目总投资5000万元，共30台生长炉。全部投产后，预计年产能达360吨单晶硅棒，产值达20亿元以上。项目自3月开始进场，目前已有10台生长炉投入使用。据了解，单晶硅目前被广泛应用于计算机芯片（IC

。 　　太阳能级晶体硅的生产需要用到一些相应的生产设备，如多晶硅铸锭炉和单晶生长炉。目前，我国有超过30家企业在生产多晶硅铸锭炉和单晶炉。产品分别是北京京运通JZ-450型、浙江精工JJL240

索比光伏网讯:目前我国有超过30家企业在生产多晶硅铸锭炉和单晶炉。产品分别是北京京运通JZ-450型、浙江精工JJL240、JJL500型、上海汉虹HXH-270/450型、北京京仪世纪VB-450
成本的发展趋势。多晶铸锭生长技术已逐渐发展成为一种主流的技术，由此也带动了多晶硅铸锭炉市场的发展。多晶硅铸锭炉作为一种硅重熔的设备，重熔质量的好坏直接影响硅片转换效率和硅片加工的成品率。目前，我国引进

，多晶硅铸锭发展趋势是多、快、好、省，分别指装料多、周期短、品质高、省消耗。在提高硅锭质量方面，刘杰认为，借鉴单晶生长技术，采用低压排杂可以降低碳含量；而采用真空退火工艺，可以减少硅锭头部杂质含量，特别是
，也是国内新兴的光伏设备制造商。拥有FT500，KR-800A，KR-800B等多晶硅铸锭炉产品，其中KR-800B型可投料900Kg。目前拥有无锡尚德、保利协鑫、旭阳雷迪、河南朝歌等用户。刘杰指出

硅锭质量方面，刘杰认为，借鉴单晶生长技术，采用低压排杂可以降低碳含量；而采用真空退火工艺，可以减少硅锭头部杂质含量，特别是氮化硅粉在表面的沉积，提高头部的少子寿命、降低切片破片率并节省氩气用量，约
铸锭炉产品，其中KR-800B型可投料900Kg。目前拥有无锡尚德、保利协鑫、旭阳雷迪、河南朝歌等用户。刘杰指出，多晶硅铸锭发展趋势是“多、快、好、省”，分别指装料多、周期短、品质高、省消耗。在提高

年产能达360吨单晶硅棒，产值达20亿元以上。项目自3月开始进场，目前已有10台生长炉投入使用。据了解，单晶硅目前被广泛应用于计算机芯片（IC）、能源、航天、电子、微电子等各个领域。单晶硅圆片按其直径

浇铸法，加上更低成本的切片方法，可生长出接近单晶的类单晶硅晶圆，已验证的平均效率在17.5%以上，甚至最高可达18.04%。 　VirtusWafer能将一般多晶电池的平均电池转换效率从16.5

上市，所募资金投向年产300台多晶硅铸锭炉扩建项目、技术研发中心建设项目和年产400台全自动单晶硅生长炉扩建项目，投资额分别为31346万元、4996万元和13485万元。目前这三个项目的环评报告均已

拟在A股上市，所募资金投向年产300台多晶硅铸锭炉扩建项目、技术研发中心建设项目和年产400台全自动单晶硅生长炉扩建项目，投资额分别为31346万元、4996万元和13485万元。目前这三个项目的环评