单晶拉晶

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这家企业在高效单晶技术路线上做到了极致来源:光伏們 发布时间:2019-06-24 08:40:58

所有的单晶炉都可以生产M6,隆基现有的、切片环节均可兼容M6,并可灵活切换。 在硅片环节,M6没有核心的技术壁垒,切换是比较容易实现的,在组件端的改造也比较小,主要是在电池产线上,需要进行扩散

站在技术“制高点”——这家企业在高效单晶技术路线上做到了极致来源:光伏們 发布时间:2019-06-22 12:50:58

炉都可以生产M6,隆基现有的、切片环节均可兼容M6,并可灵活切换。 在硅片环节,M6没有核心的技术壁垒,切换是比较容易实现的,在组件端的改造也比较小,主要是在电池产线上,需要进行扩散炉管、封装夹具
。其中,单晶代表企业隆基乐叶重磅发布M6单晶硅片以及基于M6硅片的Hi-MO4半片双面组件,引起了行业热议。 M6大硅片:兼顾效率、产线、组件性能的优先选择 据隆基硅片事业部副总裁谢天介绍,M6硅片即

上机数控回复问询:新募投项目或给公司现金流造成短缺压力来源:资本邦 发布时间:2019-06-20 17:05:15

项目,投建年产5GW单晶生产项目的可行性。 上机数控回复:公司长期立足于光伏晶硅生产设备的制造领域,并密切关注晶硅制备的相关技术及工艺,公司在单晶方面已形成一定的技术储备,本项目计划采用

探究高效双面组件在系统应用中的优势来源:光伏测试网 发布时间:2019-06-13 09:30:58

0.4元,由于电池受光面积增加,电池端成本相当,见表2. 需要说明的是,现有条件下,充分发挥现有产线的潜力,生产大尺寸硅片,需要更为严格地控制硅料质量及、切割等制程质量,包括组件的封装质量
近日,隆基发布了量产功率在420W~430W的72型Hi-MO4高效单晶组件。该组件采用了M6规格大尺寸硅片(166mm-f233mm)及高效单晶PERC双面发电电池。在组件封装方面,也采用了一些

2019 SNEC光伏技术趋势:龙头规模效应和技术创新仍是关键来源:东方证劵 发布时间:2019-06-13 09:20:07

,即核心问题在于这些结果能否代表单炉产出的平均水平。比如在量产稳定性(最佳片VS平均片)、良率(晶花片比例仍存VS完美的晶体)、效率分布(效率拖尾VS正态分布),铸锭单晶还与单晶有一定差距。考虑到
铸锭单晶并不是这两年兴起的新技术,这些问题或与其多晶本质有关,解决难度较大。此外,纵向来看,单晶的拉棒成本仍处于持续下降空间,而多晶的铸锭成本通过扩大装料量的降低空间不大。 因此,我们认为铸锭多晶技术仍有

成本相差多少?探究高效双面组件在系统应用中的优势来源:光伏测试网 发布时间:2019-06-11 10:16:11

0.4元,由于电池受光面积增加,电池端成本相当,见表2. 需要说明的是,现有条件下,充分发挥现有产线的潜力,生产大尺寸硅片,需要更为严格地控制硅料质量及、切割等制程质量,包括组件的封装质量
近日,隆基发布了量产功率在420W~430W的72型Hi-MO4高效单晶组件。该组件采用了M6规格大尺寸硅片(166mm-f233mm)及高效单晶PERC双面发电电池。在组件封装方面,也采用了一些

高效双面组件在系统应用中的成本优势来源:智汇光伏 发布时间:2019-06-11 08:44:18

、切割等制程质量,包括组件的封装质量。 2、效率提升对系统成本、度电成本及投资收益的影响 表3为根据当前一般造价水平,给出的采用Hi-MO4型组件与采用转换效率为17.5%的组件,系统成本
近日,隆基发布了量产功率在420W~430W的72型Hi-MO4高效单晶组件。该组件采用了M6规格大尺寸硅片(166mm-f233mm)及高效单晶PERC双面发电电池。在组件封装方面,也采用了一些

乐山全力打造“千亿光伏产业集群”来源:乐山市府 发布时间:2019-06-05 14:27:08

,明年竣工投产。而不远处的四川晶科能源乐山25GW单晶拉棒切方项目现场,动力区、区、切方区等区块建设如火如荼,一期项目计划6月中旬点火试生产。同在五通桥新型工业基地内的永祥新能源年产5万吨高纯晶硅

隆基同步推出M6硅片和Hi-MO 4组件,开启双面420W+时代来源:索比光伏网 发布时间:2019-06-04 15:33:49

3.47元/片开售,从每瓦成本来看,M6与M2相当,对比158.75尺寸硅片,M6在输出功率上获得8.8%的提升,电池厂商的硅片采购成本节省4分/瓦。 隆基现有和切片环节均可兼容M6,将有效确保
隆基展台人气火爆 M6硅片上新 2013年,隆基联合业内5家单晶硅片企业共同发布了M1、M2单晶硅片,统一了硅片尺寸。隆基牵头定制的硅片新标准被收录至SEMI标准并向全球公开

晶硅组件新篇章—铸锭单晶技术来源:保利协鑫能源 发布时间:2019-05-31 08:52:21

多晶是由无数个不同晶向的均匀小晶粒构成,位错密度较之直拉单晶要高2个数量级左右。 铸锭单晶单晶G3,其位错密度上更接近于直拉单晶,晶胞个数降到个位数。铸锭单晶硅片采用与直拉单晶相同的碱制绒,制绒后