半导体厂商

所在CdTe薄膜太阳能电池研究方面取得很大进展。CdTe为直接带隙半导体，带隙宽度为1.5eV（电子伏特），带隙值与太阳光谱非常匹配，其理论效率高达29%。CdTe吸收系数大于5105/cm，只需要
第三大电脑厂商联想集团，并担任联想集团董事长助理，他同样希望能将自己的知识用于中国的新能源建设。经过各类电池的优劣势分析和比对，我们认为碲化镉薄膜太阳能电池是一种适合于大规模生产的高效廉价太阳能电池

更长时间，届时国内的多晶硅厂商可能也就剩一两家，国内光伏市场将面临被外资垄断的危险，这也意味着外资将完全掌控国内市场的价格话语权，太阳能多晶硅行业就很可能重蹈上世纪90年代半导体级多晶硅的覆辙。上述人士
应该引起重视，不要让现在的国内多晶硅市场重蹈上个世纪90年代半导体级多晶硅的覆辙。据他介绍，在上个世纪70年代，国内曾有20多家生产半导体级多晶硅的企业，但由于90年代国外厂商低价倾销，致使绝大部分

多晶硅市场重蹈上个世纪90年代半导体级多晶硅的覆辙。据他介绍，在上个世纪70年代，国内曾有20多家生产半导体级多晶硅的企业，但由于90年代国外厂商低价倾销，致使绝大部分国内厂商都被迫停产或转产，最后只剩峨嵋半导体厂一家勉强维持了下来。当时的半导体级多晶硅才20-30美元，想想那是个什么概念。吕锦标说。

年，光伏行业将面临更加复杂多变的不利因素，如欧洲各国补贴持续下调，中美欧贸易争端升级，企业倒闭裁员等等，在此环境下，各大厂商和各研究机构对于全球今年的光伏市场也做保留态度，也未作出清晰的预测。接下来
poration（中国台湾）Neo Solar Power（www.neosolarpower.com）新日光能源科技股份有限公司由力晶半导体公司（Powerchip Semiconductor）创建

2011年还在持续增长。由于2010年第三季度极大的产能过剩，中国的厂商们开始为如何将产品销售出去所困扰，而非先前更多考虑的成本问题。在这种市场环境下，使一个制造商脱颖而出，占据市场有利地位的唯一
上面，但是对于他们应用的单晶硅材料的选择上还是存在一定的限制。单晶硅这种材料变得引人注目，是因为在近二十年对硅晶片的研究之后，制造者们已经掌握了它的工作机制。但是和其他的半导体材料相比，它吸收太阳能的能力较差

生产。而公司另一位创始人吴奔，曾就职于国际著名的全球战略咨询公司McKinsey & Company（麦肯锡）和全球第三大电脑厂商联想集团，并担任联想集团董事长助理，他同样希望能将自己的知识用于中国的
光电转换效率很有信心。碲化镉是一种具有高吸收系数的化合物半导体，其能隙宽度最适合于光电能量转换，目前实验室电池的最高效率为16.7%，最高组件效率达到12.8%。虽相比较目前晶硅电池组件效率有一定差距

2011年年报显示，除了江西赛维之外，东方日升（300118）、天合光能（TSL.N）、湖南创科硅业有限公司、江苏福爱尔半导体发展有限公司四家总计支付了超过3600万的预付款，但均未要求发货。江西赛维
，全行业低价清仓现象举不胜举。但值得注意的是，面对行业低迷，一些国外企业却在竞争中独善其身。据中国证券报记者了解，全球第二位的光伏设备厂商德国Centrotherm公司目前积压在手的订单金额达到5.082

500亿日元的新资金。SUMCO为台胜科最大股东，透过100%持股子公司SUMCO TECHXIV持有台胜科48.85%股权，台胜科并为台积电(TSM-US)上游半导体硅晶圆供应厂商。SUMCO已与台胜
外电报导全球第2大硅晶圆厂SUMCO拟关闭日本2座硅晶圆厂，以藉由删减过剩产能，提高成本竞争力;同时SUMCO也计划退出太阳能硅晶圆市场。对此，外资法人分析，甫砍价2成收购日商COVALENT旗下半导体

美国能源部所属的国家可再生能源实验室（NREL）与北卡罗来纳州的威讯联合半导体公司（RFMD）于2009年签订合作协议，开发NREL发明的倒置变形多结（IMM；Inverted
多结光伏太阳能电池后，NREL与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓（铟）/锗（GaInP/Ga（In）As/Ge） 技术，并首次向各方太阳能业界展示IMM太阳能电池。原本为了太空应用开发的

美国能源部所属的国家可再生能源实验室(NREL)与北卡罗来纳州的威讯联合半导体公司(RFMD)于2009年签订合作协议，开发NREL发明的倒置变形多结(IMM；Inverted
。发明了第一个多结光伏太阳能电池后，NREL与民营厂商合作开发了符合工业标准的镓铟磷/砷化镓(铟)/锗(GaInP/Ga(In)As/Ge) 技术，并首次向各方太阳能业界展示IMM太阳能电池