,FPE,全PET与PET/聚烯烃结构。其中F为含氟薄膜;P为双向拉伸工艺制备的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜(即PET薄膜);E为乙烯-醋酸乙烯(即EVA);聚烯烃指各种以碳碳结构为主链的塑料。这些结构层之间
使用胶粘剂进行粘合,通过复 合工艺制备成型。最早的光伏电池背板采用TPT结构,即Tedlar/PET/Tedlar结构,其中Tedlar为杜邦公司所生产的PVF(聚氟乙烯) 薄膜,以杜邦公司的
p-n结薄膜制作成低成本太阳能电池器件。该类低温原位方法制备的p-n结薄膜能有效提高光生载流子的分离,并抑制电子空穴复合。其具有操作简单、反应快捷且重复性好,产品易成膜、能耗低、环境友好、可大面积制备等
单晶硅太阳能电池虽然具有较高的稳定性和光电转化效率,但随着能源和环境两方面问题的日益突出,其生产和应用受到挑战。一个重要原因是p-n结的制备须在高温条件下完成,其复杂的制备过程需要消耗较高的能量,且会造成
平、梅增霞、王燕、杨丽霞、梁会力以及杜小龙等巧妙地利用单晶硅表面上铜纳米颗粒的各向异性沉积特性,在酸溶液中实现了铜催化各向异性刻蚀,获得了大面积均匀的致密的倒金字塔绒面(图1)。所制备的156 x
队还在多晶硅/单晶硅纳米制绒方面取得了多项成果,采用金属银颗粒催化化学刻蚀方法,在酸性刻蚀液中开发出大面积均匀的多晶硅片纳米制绒工艺,其反射率低至2%,呈典型的黑硅形貌【Small 8 (2012
上生产太阳能电池硅片所用的主要方法是直拉工艺。在坩埚中,将半导体级多晶硅熔融,同时加入掺杂剂。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。
半导体硅的性质依赖于它在制作过程的
。
生产单晶硅的常见的方法是提纯原材料,熔融物在严格控制的温度变化速率下凝固并生长出单晶以及最后将单晶锭锯成薄片并抛光。而在硅材料的生产过程中会造成很多缺陷,而这些缺陷势必会导致晶体硅片的少数
。
莱斯大学的研究员们发现一种全新的方法,来提高太阳能电池的生产效率,这种方法就是通过使用顶电极作为催化剂使纯硅转变成价值不菲的黑硅。
莱斯实验室的化学家Andrew Barron美国化学
角度的可见光。Barron和他的团队研究改进黑硅的制备工艺已有一段时日,据他所言,制备工艺上的进步应该能够进一步推进其商业化进程。
Barron表示,莱斯大学博士后研究员Yen-Tien Lu
,提高专用材料自给保障能力和制备技术水平。建立国家工业基础数据库,加强企业试验检测数据和计量数据的采集、管理、应用和积累。加大对四基领域技术研发的支持力度,引导产业投资基金和创业投资基金投向四基领域
,优化质量发展环境,努力实现制造业质量大幅提升。鼓励企业追求卓越品质,形成具有自主知识产权的名牌产品,不断提升企业品牌价值和中国制造整体形象。推广先进质量管理技术和方法。建设重点产品标准符合性认定平台
,严重降低器件性能。另一方面,在器件顶部直接印刷电极时,对器件承印表面的处理受到诸多限制,难以获得理想的印刷效果。而如果采用先整体覆膜再图案化的方法制备顶电极,则蚀刻方法也可能会损害整个器件的性能
。因此,很多大规模卷对卷的有机印刷器件,其顶部电极仍然选择了真空沉积等传统制备方法。中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所崔铮课题组针对印刷银纳米线的课题进行了深入的研究,开发出以喷墨打印为代表的多种印刷
片 钢线 砂浆
1 引言
切片工序是制备太阳能硅片的一道重要工序,太阳能硅片的切割原理是转动的钢线上携带着大量碳化硅颗粒,同时工作台位置缓慢下降,由于碳化硅的硬度大于多晶硅(晶体硅的莫氏硬度
补偿,以保证硅片厚度均匀。
b.切割前未设好零点。正确设置零点的方法是(以HCT机床为例):将晶棒装载入机床后,手动降工作台使四条晶棒的导向条刚刚接触线网并点击触摸屏主界面设零点按钮,然后慢速
产线进行过渡,极具发展前景。
荷兰国家能源研究中心(ECN)、德国夫琅禾费太阳能研究所(FISE)及众多光伏企业都对MWT背接触技术进行了研究和开发,其技术路线和实现方法均有所差异,本文就其中主要的
技术路线、实现方法和发展现状做出系统的介绍。
2 MWT背接触电池技术
如图1所示,MWT背接触电池技术是采用激光打孔、背面布线的技术消除了正面电极的主栅线,正面电极细栅线搜集的电流通过孔洞中的银浆
纯制备研发能力完善项目》 购置一批世界领先的智能控制技术、流程模拟软件等核心关键设备,投用先进智能控制系统和新的实验检测方法,建成我国首个万吨级高纯晶体硅材料分析检测技术研究平台;提升高效节能高