制备方法
工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术、763计划行业领先。中剑牌商标为陕西省
工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术、763计划行业领先。中剑牌商标为陕西省
升级。公司自主研发了用石油焦作还原剂生产工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术
研究开始于1976 年，随后在全世界范围内引起了重要影响。
非晶硅薄膜太阳能电池具有质量轻，光吸收好，耐高温等特点，其中， Villar.F 等通过 HWCVD 方法制备了效率为 4.6% 的
减少光反射率等方法，来提高了光照稳定性及转换效率。
多晶硅薄膜太阳能电池不仅具有晶体硅太阳能电池的高效率及稳定性，而且具有材料用量少，生产成本低的优势。日本 Kaneka公司利用 PECVD 工艺在
1976 年，随后在全世界范围内引起了重要影响。非晶硅薄膜太阳能电池具有质量轻，光吸收好，耐高温等特点，其中， Villar.F 等通过 HWCVD 方法制备了效率为 4.6% 的非晶硅薄膜电池；日本
方法，来提高了光照稳定性及转换效率。多晶硅薄膜太阳能电池不仅具有晶体硅太阳能电池的高效率及稳定性，而且具有材料用量少，生产成本低的优势。日本 Kaneka公司利用 PECVD 工艺在玻璃基板上制备了厚
没有使用原来所必须的、对CdS成膜的CdTe界面要在氯化镉（CdCl2）环境下加热的方法，代之以用熔融生长法来制备CdTe结晶的方法。这样，杂质大幅减少，同时大大降低了由晶格常数与CdS不匹配所导致的
没有使用原来所必须的、对CdS成膜的CdTe界面要在氯化镉（CdCl2）环境下加热的方法，代之以用熔融生长法来制备CdTe结晶的方法。这样，杂质大幅减少，同时大大降低了由晶格常数与CdS不匹配所导致的
时，能够制备出更加稳定且高效的太阳能电池。还预判了铯加入的钙钛矿电池能够在屋顶使用几年或几十年。如此的话，这确实是一项突破，瑞士联邦技术研究所领导研究小组的化学家Michael Graetzel说
。钙钛矿正迅速克服其他缺点。六年前，日本研究人员制备了首个钙钛矿基太阳能电池，只能将3.8%的太阳能转化为电能，效率远低于硅和其他商业技术(Science,15 November2013,p.794
Petermann采用蒸镀的方法已制备出厚度为43m、效率达19.1%的高效PERC电池。硅片减薄，会影响太阳电池的机械性能和吸光性能，而且必须对常规电池生产线进行改进，以适合批量投产。本文对不同厚度
新的电极制备技术，可以解决电池翘曲的问题。尚德公司与新南威尔士大学采用电镀方法制作的激光掺杂发射极电池（LDSE）的效率已突破20%。蒸镀制备电极基本上不会导致电池翘曲，在导电性方面也优于丝网印刷制备
%），电池结构如图11所示。正面采用选择性发射结结构，方块电阻达150ohm/sq，并采用Al2O3/SiNx进行表面钝化和减反射以降低表面复合速率和反射率。背面首先在电池背面采用湿化学方法制备一层超薄
第一次成功制备了HIT（Heterojunctionwith Intrinsic ThinLayer）电池。HIT电池结构简单，其中间衬底为N型晶体硅，通过PECVD方法在P型a-Si和c-Si之间插入
