制备方法
和N+扩散区，前表面制备金字塔状绒面来增强光的吸收，同时在前表面形成前表面场（FSF）。前表面多采用SiNx的叠层钝化减反膜，背面采用SiO2、AlOx、SiNx等钝化层或叠层。最后在背面选择性
地形成P和N的金属接触。
图2 IBC电池的结构图
2.1 扩散区的定义及形成
较之传统太阳电池，IBC电池的工艺流程要复杂得多。IBC电池工艺的关键问题，是如何在电池背面制备出呈叉指状间隔
Nanoscale（2014, 6, 3316-3324）上。同时，以氧化石墨烯作为碳源，分别通过光催化氟化和水热氟化以及热解氟化石墨对其进行氟化来制备氧和氟共掺杂氟化石墨烯的方法，获得的氟化石墨烯具有
研究所固体润滑国家重点实验室研究员王金清课题组长期致力于FG的制备、修饰组装及摩擦学性能研究，取得了系列研究成果。该课题组以氟化石墨作为碳源，先后发展了通过液相超声剥离来制备氟化石墨烯和利用混合碱
。计算与实验互相补充，最终把模拟材料制备开发出来，这是一种高效且低成本的研究方法。据介绍，光电转换电池依赖于半导体，半导体以纯物质存在时是绝缘体，但被加热或和其他材料结合时可导电。石墨烯作为一种优异的导电
碳纳米管表面的金属、金属氧化物纳米粒子的制备及应用；无过渡金属催化体系下芳香醛的绿色合成研究。合作开发新一代太阳能电池在惠州学院乌克兰国立技术大学联合研究院，来自乌克兰国立技术大学的专家谢尔盖科诺诺夫和
工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术、763计划行业领先。中剑牌商标为陕西省
工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术、763计划行业领先。中剑牌商标为陕西省
升级。公司自主研发了用石油焦作还原剂生产工业硅的方法、高温分离生产高纯硅的方法两项国家发明专利技术，矿热炉熔渣吹气精炼制备4-5N高纯硅技术、冶金法、短流程、低能耗、环保型太阳能级多晶硅制备技术
研究开始于1976 年，随后在全世界范围内引起了重要影响。
非晶硅薄膜太阳能电池具有质量轻，光吸收好，耐高温等特点，其中， Villar.F 等通过 HWCVD 方法制备了效率为 4.6% 的
减少光反射率等方法，来提高了光照稳定性及转换效率。
多晶硅薄膜太阳能电池不仅具有晶体硅太阳能电池的高效率及稳定性，而且具有材料用量少，生产成本低的优势。日本 Kaneka公司利用 PECVD 工艺在
1976 年，随后在全世界范围内引起了重要影响。非晶硅薄膜太阳能电池具有质量轻，光吸收好，耐高温等特点，其中， Villar.F 等通过 HWCVD 方法制备了效率为 4.6% 的非晶硅薄膜电池；日本
方法，来提高了光照稳定性及转换效率。多晶硅薄膜太阳能电池不仅具有晶体硅太阳能电池的高效率及稳定性，而且具有材料用量少，生产成本低的优势。日本 Kaneka公司利用 PECVD 工艺在玻璃基板上制备了厚
没有使用原来所必须的、对CdS成膜的CdTe界面要在氯化镉（CdCl2）环境下加热的方法，代之以用熔融生长法来制备CdTe结晶的方法。这样，杂质大幅减少，同时大大降低了由晶格常数与CdS不匹配所导致的
没有使用原来所必须的、对CdS成膜的CdTe界面要在氯化镉（CdCl2）环境下加热的方法，代之以用熔融生长法来制备CdTe结晶的方法。这样，杂质大幅减少，同时大大降低了由晶格常数与CdS不匹配所导致的
