制备方法

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我国科学家在有机太阳能电池领域取得重要突破来源:中国证券网 发布时间:2018-08-17 11:05:23

采用适合的活性层材料,用成本低廉与工业化生产兼容的溶液加工方法制备得到了两端叠层有机太阳能电池,实现了17.3%的光电转化效率,刷新了目前文献报道的有机/高分子太阳能电池光电转化效率的世界最高纪录,且
叠层电池中前后电池里活性材料互补的光吸收,更有效地利用太阳光,从而实现更高的能量转换效率。 在国家重点研发计划纳米科技重点专项石墨烯宏观体材料的宏量可控制备及其在光电等方面的应用研究、高效稳定大面积

中国有机太阳能电池效率突破17.3% 刷新世界纪录来源:新能情报局 发布时间:2018-08-13 10:52:13

相关的公司有: 苏州恒久,已开展具有重大应用前景的新型有机太阳能电池的材料、器件的研究与产品试制。 新宙邦,2017年定增募集资金投向有机太阳能电池材料系列产品等项目。 东晶电子,在有机太阳能电池制备方法上拥有专利。

效率提升0.4% 低成本选择性发射极SE是如何做到的?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-09 09:38:02

重磷扩散形成SE结构.利用该方法制备的SE结构在非栅线区具有极低的表面浓度,可以大幅度提升电池片的开路电压,使得同档位的电池片在组件端获得更高的CTM.

双面光伏组件的那些事!来源:展宇光伏 发布时间:2018-08-08 13:53:59

光伏组件3类。 1)单晶n型双面光伏组件。图1为基于磷掺杂的n型硅制备成p+nn+结构的双面太阳电池,其采用硼扩散掺杂制备发射极,磷扩散掺杂制备n+背场。 由于n+磷背场代替常规p型硅
光伏组件。 整个制备过程都是在200℃下的温度中进行,以避免高温工艺对硅片造成损伤。异质结双面光伏组件是3种双面光伏组件中工艺成本最高的,量产成本在4.2元/W以上。 1.2特点 1)背面可发

什么样的背板内层才是真正的、经得起考验的含氟内层来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-08 10:36:41

评估的材料便会登堂入室,给已经风雨飘摇的光伏行业增添一抹灰色。 如同在3A背板风险累计之前那样,中来股份奔走呼吁,用科学的方法验证了3A背板存在的风险性,成功让部分企业远离这个陷阱。此次行业下行
一定的含氟材料制备所谓的M膜或O膜,因为他们也知道双面含氟的背板具有优异的耐候性已是业内共识。 然而由于添加的含氟材料为非反应性的氟材料,其成型方式只能是简单的机械共混,再加上氟材料与聚烯烃的相容性

哪种金属化技术最利于异质结电池HJT降本?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-06 09:29:26

摘要:以高效异质结电池为出发点,阐述了异质结电池技术发展现状,介绍了丝网印刷技术、电镀技术、喷墨打印技术三种不同的电池金属化技术,分析了不同方法在异质结电极制备中存在的优缺点,并对未来低成本、高效率
成本的又一条重要途径。 2异质结电池金属化方法 异质结电池的生产工艺主要包括非晶硅层沉积、导电膜沉积、表面金属化、低温烧结等过程。表面金属化则是异质结电池制备过程中最为关键的环节之一,不但要保证与硅

<技术篇>HIT技术金属化发展研究来源:贺利氏可再生能源 发布时间:2018-08-04 15:39:30

工艺技术的核心,要求氢化非晶硅膜层的缺陷态密度低、折射率高且光吸收系数低。目前,国内外文献多采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备非晶硅薄膜,其他方法如热丝化学气相沉积技术(HWCVD)、常压
非晶硅薄层上用溅射法沉积透明导电氧化物薄膜,最后制备金属栅极。 HIT太阳能电池的优势 低温工艺 由于使用a-Si构成PN结,所以能在200℃以下的低温完成整个工序,远低于传统晶硅太阳电池的形成

双面光伏组件介绍及其应用前景分析来源:太阳能杂志 发布时间:2018-08-02 09:52:31

光伏组件、单晶PERC 双面光伏组件、异质结(HIT 或HJT) 双面光伏组件3 类。 1) 单晶n 型双面光伏组件。图1 为基于磷掺杂的n 型硅制备成p+nn+ 结构的双面太阳电池,其采用硼扩散掺杂
制备发射极,磷扩散掺杂制备n+ 背场。由于n+ 磷背场代替常规p 型硅太阳电池用铝浆印刷技术形成的铝背场,背面电极也采用与正面电极相同的栅线结构,使电池前后表面都能吸收光线,实现双面发电。同时,组件

表面钝化技术路线多样 谁主沉浮?来源:摩尔光伏 发布时间:2018-08-02 09:45:02

如果将氮化硅作为前表面钝化膜,并将其折射率控制在2.0左右,既能起到很好的钝化作用又能起到较好的减反射效果。 3 表面钝化膜制备方法及动态 3.1等离子体增强化学气相沉积法 等离子体增强
化学气相沉积法同溅射法一样,可以通过改变沉积参数的方法制备不同应力状态的薄膜以满足不同的需要。这种方法根据等离子体的激发方式,用于生长氮化硅薄膜的PECVD设备一般分为两种类型:直接PECVD设备和间接

魔鬼在细节~氮化硅镀膜工艺参数优化来源:摩尔光伏 发布时间:2018-07-31 10:06:18

过程中出现的薄膜破裂及纯度不高的问题进行了工艺参数优化;文献研究了硅烷浓度、存底温度等工艺参数对PECVD沉积产物特征的影响。然而,现有的试验方法均属于单响应物理试验,需要耗费大量的时间和经费
。 针对以上问题,本文采用正交实验设计优化方法研究了PECVD法沉积给定折射率氮化硅薄膜的工艺参数优化问题。首先利用单因素试验研究了各参数对薄膜质量的影响;其次,利用正交试验设计进行全局参数优化;最后,针对