制备方法

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2008年太阳能多晶硅硅料需求仍将达到4.1万吨来源: 发布时间:2008-03-05 11:19:59

可以忽略,最高的技术壁垒存在于太阳能光伏电池的原料高纯度多晶硅的提炼制造。 尽管当前世界上有许多方法生产多晶硅,但应用最为广泛的技术仍然是使用化学法,约有70-80%的多晶硅采用改良的西门子法
。1955年西门子公司采用化学方法,将粉碎的冶金级硅在硫化床反应器中与HCI气体混合并反应生成三氯氢硅和氢气,Si+3HCI→SiHC13+H2。由于SiHC13在30℃以下是液体,因此很容易与氢气

我国发展太阳能发电技术产业的思考来源:Solarbe.com 发布时间:2008-02-25 14:24:32

。优点是太阳能总量巨大,是使用不会枯竭的能源;没有影响环境的排泄物,是最清洁的能源;不集中在某个地方,是在整个地球上都可以利用的能源。但是,不集中也是它的缺点。有时可采取聚焦等方法,来提高效率。另外
,降低生产成本。   1.2 太阳电池   太阳电池技术是太阳能发电技术的主要组成部份。太阳电池的光电转换效率是代表材料性能、器件结构、制备技术、工艺设备和检测手段等综合性能水平的标志性指标

孚日股份:亚洲唯一薄膜太阳电池项目奠基来源:Solarbe.com 发布时间:2008-02-25 13:38:45

硒化合物)薄膜太阳电池技术的特色在于通过调整生产工艺参数,实现了制备均匀的CIGSSe吸收层材料,并添加硫(S)元素以实现带隙调整,达到最佳匹配。   据悉,孚日光伏项目将以JST公司在德国的工厂为
市场,孚日光伏在企业建立的初期采用OEM的方法将项目产品销往欧洲、美国,同时积极使用自有品牌开拓、培育国内市场。   CIGSSe薄膜优势出类拔萃    据孚日光伏项目负责人王岩博士介绍

科学家杨小牛帮太阳能电池“降价”来源: 发布时间:2008-01-31 10:02:59

,担任中国科学院长春应化所高分子物理与化学国家重点实验室研究员、博士生导师。他回国后,便带领高分子物理功能薄膜微结构课题组研究人员全力攻关。经过3年的努力,终于成功研制出一种全新方法制备共轭聚合物的

增长中的日本太阳能市场吸引新的供应商来源: 发布时间:2008-01-21 16:53:59

低成本硅、更有效的线锯和更好的包封料――可以降低太阳能能源的价格。JEF Steel提供由冶金工艺制备的多晶硅,可以去除硅中的杂质(首先在真空中获得电子束,之后在氩气环境中用等离子体点火)并且对熔物在连续
的太阳能电池来说明显足够了。 智索株式会社正在恢复其过去锌还原工艺制造纯度“7个9”(99.99999%)多晶硅的改进方法,这一工艺的成本略高于冶金工艺,但其成本仍比西门子方法低30

成本优势凸显 薄膜太阳能电池产业提速来源: 发布时间:2008-01-19 10:06:59

(PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition―――等离子增强型化学气相沉积)方法使高纯硅烷等气体分解沉积而成的。此种制作工艺,可以在生产中连续在多个真空沉积室完成,以实现大批量生产。由于沉积分解温度低,可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板

温籍科学家一科研成果降低太阳能电池的成本来源: 发布时间:2008-01-15 08:47:59

归国,担任中国科学院长春应化所高分子物理与化学国家重点实验室研究员、博士生导师。他回国后,便带领高分子物理功能薄膜微结构课题组研究人员全力攻关。经过3年的努力,终于成功研制出一种全新方法制备共轭聚合物

新纳米结构薄膜展现高效转换太阳能前景来源: 发布时间:2008-01-10 09:59:59

如何产生、捕捉、转移和贮存自由电子——这些属性对于把阳光转换成电能非常重要。 两种制造太阳能电池材料的纳米技术方法已经显示出了特别的前景。一种方法使用金属氧化物纳米颗粒(例如二氧化钛)薄膜,掺入氮等其他
可见光的吸收。 加州大学圣克鲁兹分校的化学教授张金中说,把这两种方法结合起来看来可以比单独使用任何一种方法产生更好的太阳能电池材料。张金中领导的一个来自加州、墨西哥和中国的研究组制造出了一种掺氮并用

关于我国发展太阳能发电技术产业的思考来源: 发布时间:2007-12-05 23:40:51

总量巨大,是使用不会枯竭的能源;没有影响环境的排泄物,是最清洁的能源;不集中在某个地方,是在整个地球上都可以利用的能源。但是,不集中也是它的缺点。有时可采取聚焦等方法,来提高效率。另外,还受天气影响
生产成本。 1.2 太阳电池 太阳电池技术是太阳能发电技术的主要组成部份。太阳电池的光电转换效率是代表材料性能、器件结构、制备技术、工艺设备和检测手段等综合性能水平的标志性指标。太阳电池

全球太阳能技术领跑者——之一:美国篇(表)来源:不详 发布时间:2007-11-25 10:41:55

) 太阳能电池制备方法 IN189909 1997-3-14 2003-5-10 EVERGREEN SOLAR INC 3. First Solar公司 http
(US) 可流动的芯片制备方法与装置 DE60310627D 2003-2-6 2007-2-8 HEMLOCK SEMICONDUCTOR CORP (US