切割设备

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单晶or多晶:晶硅光伏市场谁笑到最后?来源:隆基股份 发布时间:2015-11-17 09:00:10

多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题,但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中
。 二、铸锭与拉晶成本对比 单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成,单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前,多晶铸锭主流炉型G6

单晶or多晶:晶硅光伏市场 谁笑到最后?来源: 发布时间:2015-11-17 00:05:59

湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题,但需要增加额外的设备投资、水电、原料及人力等成本。其中,仅固定投资成本部分(不含配套的水电、原料及人力等成本)将增加0.16元/片左右。并且,即便多晶
晶硅低至少3%以上,单晶硅电站投资回报率(IRR)比多晶电站至少高2.78%。综上所述,单多晶材料性能对比,单晶VS多晶,行业公认单晶有绝对优势。二、铸锭与拉晶成本对比单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备

技术进步推进单晶电池扩大市场份额来源:隆基股份 发布时间:2015-11-16 16:49:17

金刚线切片技术在多晶领域的应用与进一步提升造成障碍。虽然目前部分多晶制造企业研发采用的反应离子刻蚀(RIE)或湿法黑硅技术能够解决多晶金刚线切割硅片的制绒问题,但需要增加额外的设备投资、水电、原料
,行业公认单晶有绝对优势。 二、铸锭与拉晶成本对比 单晶拉棒与多晶铸锭成本均主要由设备折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成,单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前,多晶铸锭主流

Applied Materials太阳能设备业务增速放缓来源: 发布时间:2015-11-16 13:54:59

大型半导体设备制造商Applied Materials在早前宣布退出总部位于瑞士的精密硅片切割系统(PWS)绳锯机业务以及停止Solion离子植入产品的开发之后,于近日宣布将继续撤出太阳能设备市场

云南太阳能资源概况来源:百度文库 发布时间:2015-11-12 14:55:07

、工程费用等,每千瓦的成本不可能在5万以下。如果是独立发电系统,成本会更高。并网的光伏发电项目每千瓦成本大约要5万-6万,是独立系统的一半,而且发电设备使用寿命长,一般在25年左右。在具体运作上可以
,国外企业花这个钱购买我们的硅原料,再将其提纯加工,返卖回中国的价钱就是100元一个单位。像天达这样的云南省光伏电池生产龙头企业,都是要从国外买晶体硅进行切割加工组装,所获得的利润只是国外出口商零头的零头

光伏材料硅片切割技术研讨来源:光伏盒子 发布时间:2015-11-02 08:47:12

硅片切割技术 目前硅片切割技术多采用多线切割技术,相比以前的内圆切割,有切割效率高,成本低,材料损耗少。目前硅片能够切出的最薄度在200um左右。实际太阳能电池的最佳性能厚度是在60-100um.

SunEdison携手Solaria生产新型光伏组件来源:光伏們 发布时间:2015-10-29 14:39:11

然后再互相之间直接重新聚拢。这有点像REC Solar在批量生产中引入的半切割电池技术的操作原理。 根据协议,在SunEdison现有的无硅片厂商业模式下,Solaria的知识产权可能会转化成生产
SPACE组件更快上市。这些新款组件是目前效率最高的,也是最适合空间较小的家用和商用光伏发电设备的。 Solaria表示,将以SunEdison合作伙伴的身份于2015年第四季度将上述电池分割技术应用

全面解读:复苏曙光下的光伏产业(一)来源:产业研报 发布时间:2015-10-26 08:44:46

电流直接发电。以硅材料的应用开发形成的光电转换产业链条称之为光伏产业。包括高纯多晶硅原材料生产、太阳能电池生产、太阳能电池组件生产、相关生产设备的制造等。 (二)光伏产业链 光伏发电产业链主要包括
再利用(节省三氯化硅)、精馏环节的节省、以及生产规模扩大后的其他单位成本和费用的降低。 2、硅片生产 铸锭和硅片的切割是光伏发电产业链中重要的环节,也是毛利率仅次于硅原料的生产环节。硅片主要有单晶硅

【深度】全面解读:复苏曙光下的光伏产业(一)来源: 发布时间:2015-10-26 00:11:59

壁垒较高,其制造过程主要是技术密集、工艺和设备要求高,而电池芯片转换效率的高低又决定了处于该环节企业的盈利能力。另外,硅片切割环节因为切割的厚度以及破片率等方面的要求较高,进入也存在着一定的壁垒问题

多晶硅大王硅烷法团队问鼎“光能杯”年度研发团队奖来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2015-10-14 16:47:17

,保利协鑫采用多晶铸锭装备生长整锭单晶的转换率已经达到19.6%。 保利协鑫申报发明、实用新型专利200余项,其中授权专利超过150多项,涉及多晶硅生产方法、单晶硅生长设备、硅片切割工艺
,推动了硅片技术的持续革新和更新换代。7月31日,召开的国际半导体设备与材料协会(SEMI)中国光伏标准夏季会议上,由保利协鑫主导的多晶硅中氯离子检测技术标准和铸锭类单晶产品技术标准修订进入全球投票环节