准单晶

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20130917国家工信部-光伏制造业行业规范条件来源: 发布时间:2013-09-17 10:35:51

: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》 (GB/T25074)1 级品 的要求; 2.多晶硅片 (含单晶硅片) 少子寿命大于2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和
; 2.多晶硅片 (含单晶硅片) 少子寿命大于2.5s,电 阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 8 和 6PPMA;单晶硅 片少子寿命大于 11s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别

光伏制造行业规范条件来源:工业和信息化部 发布时间:2013-09-16 23:59:59

:1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1 级品的要求;2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16 和18PPMA;单晶硅片少子寿命
《硅多晶》(GB/T12963)2 级品以上要求;2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于8 和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在

工信部《光伏制造行业规范条件》来源: 发布时间:2013-09-16 16:45:34

多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于 2s,电阻 率在 1-3.cm,碳、氧含量分别小于 16 和 18PPMA;单晶硅3 片少子寿命大于 10s,电阻率在 1-3.cm,碳、氧含量分 别小于 10

2013年上半年光伏企业财报汇总——设备篇来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2013-09-09 14:02:17

高效多晶硅片的转换效率,通过铸锭炉改造升级提高正常装炉量,改进完善JXQ600型线切片机和JXP1000型线剖方机的金刚线切工艺,继续推进500N单晶技术及工艺的改进,JSH50A型蓝宝石晶体生长炉的设计
验证。 2013年上半年,公司完成了晶硅太阳能电池25MW半自动生产线的工艺调试,单晶硅电池片的效率指标已按目标要求完成。同时,25MW全自动生产线已初步完成工艺调试

江苏协鑫硅材料科技发展有限公司荣获江苏省科技成果转化专项资金来源:世纪新能源网 发布时间:2013-09-08 23:59:59

索比光伏网讯:日前,由江苏协鑫硅材料科技发展有限公司申报的省重大成果转化项目 高性能低成本N型光伏单晶硅锭、硅片先进制备技术开发与产业化,通过江苏省政府严格的专业评审、综合评审、现场考察、厅长
从铸锭炉改造、热场设计、配料工艺、长晶技术、切片技术到产品检验的一体化生产整体解决方案的先进技术。该项目产品N型单晶相比P型晶硅产品更具高效率、低成本、长寿命等特点。预计在项目实施后三年内,江苏鑫

光伏制造行业规范条件(深入解读)来源: 发布时间:2013-09-04 10:16:59

多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA;3.
他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、10%、11%、10%。(五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求:1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求;2.多晶硅片(含单晶

工信部《光伏制造行业规范条件》延伸阅读来源: 发布时间:2013-09-04 09:44:37

要求;2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA

光伏制造行业规范条件(延伸阅读)来源:中国能源报 发布时间:2013-09-03 23:59:59

要求;2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于16和18PPMA;单晶硅片少子寿命大于10s,电阻率在1-3.cm,碳、氧含量分别小于10和18PPMA

点评:工信部《光伏制造行业规范条件》来源:Solarzoom 发布时间:2013-08-29 08:42:36

光伏制造企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求; 2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在1-3。cm,碳、氧含量分别
/T12963)2级品以上要求; 2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2.5s,电阻率在1-3。cm,碳、氧含量分别小于8和6PPMA;单晶硅片少子寿命大于11s,电阻率在1-3。cm,碳、氧含量

工信部:光伏制造行业规范条件(征求意见稿)来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2013-08-28 13:22:21

。 (四)现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》(GB/T25074)1级品的要求; 2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命大于2s,电阻率在
%、10%、11%、10%。 (五)新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求: 1.多晶硅满足《硅多晶》(GB/T12963)2级品以上要求; 2.多晶硅片(含单晶硅片)少子寿命