准单晶硅

，於后世之用亦殊深。其地位乃未来能源与环境之砥柱也。公元1893年，光生伏特效应即为法兰西贝克雷尔所察。至公元1950年，凭硅之光伏效应，拉晶技术始用于单晶加造工业。其后四年，单晶硅太阳能电池诞于贝尔
之能者因势利导，汰陋之小作坊，擢较多晶之发电利势；反观多晶，竟遇单产、薄片、提效之诸项难题终不能解，再难望及单晶之项背矣。多晶大坊急破僵局且为准单晶所惑，所投之巨，然事与愿违，仅二年，准单晶亦成弃子

于硅单晶的生长，这种拉晶技术已经成为现代生产高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。 然而
多晶铸锭工艺，提高单晶颗粒在铸锭中的面积比例以降低位错密度，降低杂质含量。里特尔经过多年研究证实，多晶硅材料的少数载流子寿命永远是大大低于单晶硅材料的。 1976年，德国瓦克公司采用

高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。然而在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶电池
。里特尔经过多年研究证实，多晶硅材料的少数载流子寿命永远是大大低于单晶硅材料的。1976年，德国瓦克公司采用多晶铸锭的切片成功制成商用太阳能电池，虽然发电效率偏低，且长期衰减性能较差，但明显的成本优势

高质量硅单晶的主要方法。美国科学家恰宾和皮尔松于1954年在贝尔实验室首次制成了实用的单晶硅太阳能电池，4年后首次在太空应用。然而在那个年代，以半导体工艺为基础的单晶生长技术产能极其有限，单晶电池
含量。里特尔经过多年研究证实，多晶硅材料的少数载流子寿命永远是大大低于单晶硅材料的。1976年，德国瓦克公司采用多晶铸锭的切片成功制成商用太阳能电池，虽然发电效率偏低，且长期衰减性能较差，但明显的成本

13个乡镇总面积1687.8平方公里规划从2015年到2017年，用3年时间建设300万千瓦ink"光伏发电项目基地2015年批准开发建设装机容量为100万千瓦两个片区12个单体项目，其中7个为
与国家能源局、国家认监委于6月1日联合印发的《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，旨在发挥市场作用促进光伏技术进步和产业升级。其中提出了明确的技术指标：例如多晶硅和单晶硅光伏组件的光电转换

乡镇，共计13个乡镇总面积1687.8平方公里。规划从2015年到2017年，用3年时间建设300万千瓦光伏发电项目。基地2015年批准开发建设装机容量为100万千瓦，两个片区12个单体项目，其中7个为
和信息化部与国家能源局、国家认监委于6月1日联合印发的《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，旨在发挥市场作用促进光伏技术进步和产业升级。其中提出了明确的技术指标：例如多晶硅和单晶硅

乡镇总面积1687.8平方公里。规划从2015年到2017年，用3年时间建设300万千瓦光伏发电项目。基地2015年批准开发建设装机容量为100万千瓦，两个片区12个单体项目，其中7个为领跑者计划项目
家能源局、国家认监委于6月1日联合印发的《关于促进先进光伏技术产品应用和产业升级的意见》，旨在发挥市场作用促进光伏技术进步和产业升级。其中提出了明确的技术指标：例如多晶硅和单晶硅光伏组件的光电转换

满足(1)拥有良好的表面钝化效果；(2)分离准费米能级；(3)可以高效传输一种载流子。那么就可以把这一结构用于电池的表面，形成即满足钝化要求，又无需开孔即可传输电流的钝化接触。德国弗劳恩霍夫太阳能
。下面，我们用选择性接触的理论解释一下松下异质结(HIT)电池的原理。HIT电池吸收层采用n型单晶硅片，正面首先沉积很薄的本征非晶硅层，作为表面钝化层，然后沉积硼掺杂的p+型非晶硅层，二者共同构成正面空穴

课题。在目前的制造工艺中，单晶或准单晶硅片的通用制绒工艺采用碱液金字塔刻蚀法，硅表面形成随机金字塔结构，可对太阳光进行两次反射，一般反射率在10%左右。而具有倒金字塔形状的凹坑结构是更为理想的绒面
平、梅增霞、王燕、杨丽霞、梁会力以及杜小龙等巧妙地利用单晶硅表面上铜纳米颗粒的各向异性沉积特性，在酸溶液中实现了铜催化各向异性刻蚀，获得了大面积均匀的致密的倒金字塔绒面（图1）。所制备的156 x