冷却

实现了零偏差，因此促进了多孔材料或分层材料的精确切割。此外，与标准的划片方式相反，Laser MicroJet技术使用水射流来冷却材料表面，避免了材料表面的热损伤，从而获得了理想的保护。同时，水流也

燃料燃烧会释放出一定数量的热量，单件质量（指固体或液体）或单位体积（指气体）的燃料完全燃烧，燃烧产物冷却到燃烧前的温度（一般为环境温度）时所释放出来的热量，就是燃料热值，也叫

Ec时，即半导体加热至熔点温度，薄膜的表面会熔化，熔化的前沿会以约10m/s的速度深入材料内部，经过激光照射，薄膜形成一定深度的融层，停止照射后，融层开始以108～1010K/s的速度冷却，而固相和液
相之间的界面将以1～2m/s的速度回到表面，冷却之后薄膜晶化为多晶，随着激光能量密度的增大，晶粒的尺寸增大，当非晶薄膜完全熔化时，薄膜晶化为微晶或多晶，若激光能量密度小于域值能量密度Ec，即所吸收的

林发动机。斯特林发动机能量转换率可达到 42% ，无噪声污染，冷却水消耗少，对周围环境无任何影响。碟式斯特林太阳热发电技术是当今太阳能热发电领域的热点。 碟式太阳热发电技术优势及发展前景

； 电流畸变＜5%； 系统效率＞94%； 功率因数＞0.95； 冷却方式为强迫风冷； 保护方式为过电压、欠电压、高频、低频和反孤岛保护； 环境温度
3kW； 单相交流电压198~251V（AC）； 频率：50HZ； 电流畸变＜5%； 系统效率＞90%； 功率因数＞0.95； 冷却方式为自然

批次生产和修理困难等。 单板机式和PC机式操控系统将在较长时间内并存和竞争。 未来的线切割机，钼丝，快速往复走丝将延续下去，现行冷却液将因环保力度的加大出现质的改变；操控将更加

将晶棒的直径慢慢缩小，直到成一尖点而与液面分开。这一过程称之为尾部生长。长完的晶棒被升至上炉室冷却一段时间后取出，即完成一次生长周期。 　　单晶硅棒加工成单晶硅抛光硅片 　　加工流程： 　　单晶

CdTe便在衬底上产生。 将制备好的玻璃／FTO／CdS／CdTe很快地（约为1s）转移到高纯水（约90℃）中，并缓慢地冷却到室温。然后将此样品用氮气冲干，并在真空中（1．33Pa）保持

率为1mm／min。固化及冷却时所产生的热应力是影响硅锭质量的主要参数，应不断优化和改进。该法能否正式进入工业化生产仍在实验评估中。 我国在80年代初就开始了多晶硅材料和太阳电池研究，进行铸锭
制造片状硅或带硅的技术。在80年代国际上曾出现过很多种生长硅带的方法，但大部分都处于实验室阶段，其原因是：（1）在高温过程中通过设备引入了过多杂质，达不到要求的纯度；（2）在再结晶过程中要求的高冷却速率

。 　 (2)从集热器、制冷机等相应的成本分配来看，集热温度、冷水温度及冷却水温度应各为多少，才能建立一个最为经济合理的太阳能空调系统，也是尚待解决的课题。不过我想，只要有了合适的集热器和制冷机