光退火
的研发、设计、生产和销售;主要产品为多主栅串焊机、硅片分选机、激光划片机、烧结退火一体炉/光注入退火炉、直拉单晶炉、模组PACK线、半导体键合机。
。背面氧化层厚度为 1.4nm，采用湿法化学生长，随后在氧化层上，沉积 20nm 掺磷的非晶硅，之后经过退火重结晶加强钝化效果。
TOPCON 将为 PERC 打开天花板。从未来 2-3 年的维度来看
光显示器的硫化锌发光层。可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的 方法。优势：相比 LPCVD 和 PECVD 稳定性、适用性高。
目前，在 TOPCon 设备领域布局的主要企业包括
钝化，降低背表面复合速率，增加光程，提升效率。但红外辐射光只有60-70%能被反射， 产生较多的光电损失，在转换效率方面有明显的局限。
2) PERC电池技术。通过在电池背面附上介质钝化叠层三氧化
变革后周期。为了进一步提升PERC电池转换效率， 在传统的PERC电池工艺基础上不断增加新的工艺，包括SE技术优化、多主栅电极、氧化层增强钝化、背面碱抛及光注入或电注入再生等技术工艺的改进。通过技术
密度最高，该技术的缺点在于：三明治结构仍然在连接处容易出现小隐裂，小隐裂在组件长期应用中会发生扩展，因此该技术提效的同时降低了组件的可靠性;另外，电池片重叠的部分无法受光发电，同时为降低隐裂的产生需要
隐裂的问题有所缓解但仍然存在。
隆基在组件生产环节采用的是一体成型的分段式焊带，焊带成型后经退火消除内应力，可以高良率、高可靠地实现电池片微间距互联，完全避免了小隐裂问题，因此可以称为无隐裂智能焊接
金刚线，允许你们一年亏4000万!。最终，在大家的努力下，金刚线切片技术终于被我们攻克了。这不仅对我们，也对整个中国光伏行业的进步有非常积极的意义。光这一项技术，每年就可以给中国光伏产业节省300亿元
线经过部分工序的改造就能生成PERC产品，因此将单晶PERC技术作为主要技术突破口。
单晶PERC开始推广时，遇到的最大难题，也可以说是业界的质疑，主要是初始光衰问题。隆基通过与澳大利亚新南威尔士大学等
年中国光伏技术发展报告》， 还有悬浮主栅技术、背抛光技术、焊带改进、光注入或者电注入再生技术等，以及 还在试验中的众多技术，可继续提高PERC路线的转换效率。
TOPCon属于PERC+中较有前景
、扩散炉、刻蚀设备;
(2)本征直掺：氧化硅层钝化及沉积多晶硅层(LPCVD设备)磷离子注入(离 子注入机)退火(退火炉)刻蚀(刻蚀设备)，增加设备：LPCVD、离子注入 机、退火炉、刻蚀设备
根据晶硅太阳能电池的工作原理，要实现高转换效率(=FF*Voc*Jsc/Pin)需要高的填充 因子(FF)、开路电压(Voc)和短路电流密度(Jsc)。目前产业化主要是通过增大光生电流如 IBC
和掺杂非晶硅钝化背面。其 中 SiO2 厚度 1-2nm，可使多子隧穿通过同时阻挡少子复合;掺杂的非晶硅厚度 20-200nm，经 过退火工艺使非晶硅重新结晶为多晶硅，可同时加强钝化效果，避免了在
装备制造企业，拥有1000多名员工。 奥特维在发展的10年时间中，立足光伏行业需求潜心研发，陆续推出串焊机、贴膜机、激光划片机、硅片分选机及光注入退火炉，在为行业客户提高生产力的同时也符合精益生产的要求
若干设备，已达到改善电池性能的目的，图中我们以激光SE、光再生(绿色色块)作为例子，对应的需要增加激光掺杂设备、光注入/电注入设备。
(2)TOPCon：图中黄色色块为TOPCon在PERC基础产线
上改变或者增加的工艺，可以最大化的利用现有PERC产线和工艺经验积累，增加的设备包括LVCVD/PECVD、离子注入机、退火炉、刻蚀设备等，不同的技术路线所对应的设
备有所不同，前文已经介绍过，此处
若干设
备，已达到改善电池性能的目的，图中我们以激光SE、光再生(绿色色块)作为例子，对应的需要增加激光掺杂设备、光注入/电注入设备。
(2)TOPCon：图中黄色色块为TOPCon在PERC基础
产线上改变或者增加的工艺，可以最大化的利用现有PERC产线和工艺经验积累，增加的设备包括LVCVD/PECVD、离子注入机、退火炉、刻蚀设备等，不同的技术路线所对应的设
备有所不同，前文已经介绍过
