光谱

。2.等离子体中电子及离子辐照对沉积薄膜结构及电子学特性损伤。等离子体加工过程中另一方面的问题是等离子体损伤,主要指离子轰击及光子辐照,除了会降低沉积膜的质量外,还对晶体Si衬底带来损伤。光谱响应的
研究结果发现利用等离子体技术制备的HIT电池,在蓝光区,光谱响应提高,而在红光区,光谱响应降低,这一方面表明本征层的钝化作用提高了蓝光区的光量子效率,另一方面表明等离子体对器件的损伤深入到器件内部,造成

索比光伏网讯:导语：晶硅电池的衬底需要经过制绒以提高光能的吸收，这导致了信噪比被大大削弱以及退偏影响的产生，这些问题一直阻碍着全光谱椭偏仪在晶体硅电池的运用。在SNEC展会上，系科仪器展示的
太阳能电池检测工具RISE型光谱椭偏仪，不但能更精准的对薄膜电池多层减反膜进行测量分析，同时也成功地解决了衬底制绒的晶硅电池多层减反膜的测量分析问题。自2011以来，行业持续低迷，很多光伏企业将主要精力都放在

。从技术上讲，这种新的电池不是真正的格拉兹尔电池，因为用孔导电的材料CsSnI3本身也吸收光。事实上，这种材料可吸收更多的光，吸收更广泛的可见光谱，胜过格拉兹尔电池使用的典型染料。卡纳其迪斯-罗伯特昌的电池

士公司研制的Apollo系列稳态太阳光仿真器是世界上最高等级的3A级稳态太阳光仿真器。它以与太阳光谱最相近的氙灯数组作为光源，光谱设计范围由350nm直至3000nm，可满足所有平板光伏组件测试所需
）；若需进行不同照度测量，则可藉由个别灯的开启或是遮蔽来进行调控，且不影响光谱及均匀性。因而，也可在没有标准组件条件下测得组件的正确发电功率。乐利士Apollo太阳光模拟器，堪称是世界上最接近户外阳光的

、晶体硅太阳电池组件的光学损失分析封装材料反射引起的光学损失AM1.5,≦0.38um的能量占3.03%图20太阳光谱图21玻璃透过率七、晶体硅太阳电池光伏组件电学损失分析 八、晶体硅太阳电池光伏组件工厂建设和运营1设备及工装2人员3材料成本4损耗

讨论这两类中的各种影响因素。光学损失从理论上讲，单结硅系太阳电池不能将所有光线都吸收转换成电能，地面用硅太阳电池的光谱相应范围一般为300nm-1100nm，因此，任何使这一波段的光进入电池减少的因素
转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图4显示的是效率相近的常规电池（CellⅠ）和高方阻（CellⅡ）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在段

将所有光线都吸收转换成电能，地面用硅太阳电池的光谱响应范围一般为300nm-1100nm，因此，任何使这一波段的光进入电池减少的因素都会造成光学上的损失，可以从光的透射和反射两方面进行分析。光从组件
波长光的透射率为37.1%，而其他三种加入抗紫外剂的EVA对在360nm波长以下范围内的光是截止的。但现在电池厂家为提高太阳电池的转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱

影响因素。　　光学损失　　从理论上讲，单结硅系太阳电池不能将所有光线都吸收转换成电能，地面用硅太阳电池的光谱响应范围一般为300nm-1100nm，因此，任何使这一波段的光进入电池减少的因素都会造成光学
，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱响应是不相同的，图四显示的是效率相近的常规电池（CellI）和高方阻电池（CellII）的内量子效率曲线对比图，可以看出，高方阻电池在短波

跟传统电池类似，从这个上可以看到，VOC基本在6.8毫伏，效率可以达到19.6，它在正负0.3区间，这个技术可以适合大规模量产，效率可以维持保证在19到20之间。我们从光谱效应方面看一下，蓝色的线是

，在做。当然铜铟镓硒材料太贵。我们做了一些理论分析，也在做电池，效率可以做到9%左右，甚至于到10%左右。最后是锌电池，可以做成柔性的，可以用炭的纳米管，一个光子可以产生两对光学电池对，另外一个宽光谱