光谱

分析仪器有ICP-AES（等离子体原子光谱仪），ICP-MS（等离子体质谱仪），GDMS（辉光放电质谱仪），二次离子质谱（SIMS），均需要用来进行生产过程中的硅材料的杂质成份测试。此外，还有傅立叶

有ICP-AES（等离子体原子光谱仪），ICP-MS（等离子体质谱仪），GDMS（辉光放电质谱仪），二次离子质谱（SIMS），均需要用来进行生产过程中的硅材料的杂质成份测试。此外，还有傅立叶

太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率。此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S-W效应，使得电池性能不稳定。解决这些问题的途径就是制备叠层
，提高了光谱的响应范围；②顶电池的i层较薄，光照产生的电场强度变化不大，保证i层中的光生载流子抽出；③底电池产生的载流子约为单电池的一半，光致衰退效应减小；④叠层太阳能电池各子电池是串联在一起的

AM1.5太阳光谱分布4.2、各项电性能太阳能的电性能主要包括：开路电压，短路电流；最佳工作电压，最佳工作电流；功率；转换效率，填充因子；电流、电压温度系数以及太阳能电池等效电路等。4.2.1、伏安特性
开路电压与入射光谱辐照度的对数成正比。短路电流在一定的温度和辐照条件下，太阳能电池在端电压为零时的输出电流称为短路电流，通常用Isc来表示。Isc与太阳电池的面积大小有关，面积越大， Isc越大

可谓是点着晶体硅的死穴在发展。比如，CIGS薄膜太阳能电池光吸收能力强，可吸收光谱波长范围广，与同一瓦数级别的晶硅太阳能电池相比，每天可以超出至少10%比例的总发电量。又比如，晶硅电池有光致衰减的特性

。（iii）陷阱复合当半导体中的杂质或晶界势阱在禁带上升到导带水平时会发生此复合。电子与空穴的复合有两种状态过程，首先是释放到缺陷能级，然后到达价带。在实际的电池中，复合损失的的因素和光谱响应如图3.8
示，电池设计者的任务是减少这些损失来提高电池的性能。图3-8：实际电池的典型量子效应与光谱响应3.2、设计3.2.1、顶区接触设计金属表面接触对电池电流的形成是必须的。Bus bars 直接与表面接触

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Voc 定义为规格化开路电压：以上公式只能用于理想情况下，没有关联电阻损失，可以精确到1 位小数在这些情况下。2.2、光谱响应太阳能电池吸收入射光光子可以产生电子空穴对，只要光子能量Eph 大于能带能量
论上更理想。图3.7 描述了理想量子能效和能带关系。图2.7 在硅太阳能电池中能带限制和量子能效关系同时也影响太阳能电池光谱响应。每瓦入射光产生电流，理想情况下，随波长增加。然而在短波中，电池不能利用

使用特色特殊设计的光学低通滤波器用于拒绝光谱中的杂质，从而提升能源吸收 原标题:科学家研发太阳能转换率提升至40%以上的新系统