光衰
％，新产品不仅有效解决多晶硅片黑边问题，更重要的是抗光衰性能显著提升，这是保利协鑫最新技术平台的首次发力。据保利协鑫光伏长晶事业部副总裁游达介绍，鑫多晶S4采用了全新的多晶技术平台：GCL新高效工艺
高纯坩埚的使用，有效解决了多晶硅片边缘的黑边及转换效率问题；通过对硅片尺寸的优化设计，适当增加硅片尺寸，有效地提高后端组件的输出功率；而全新的共掺杂技术的投入量产，则彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续
节奏明显加快，年度目标 17.8GW 完成没有问题。 在技术层面，产业链上下游龙头企业均带来了最新技术。全球最大的多晶硅厂商保利协鑫发布了第四代多晶 S4 新品，光伏组件光衰平均下降 1%，60 片
0.2个百分点以上，同时能大幅度提高组件抗光衰性能和可靠性，为光伏高效系统提供更优质的产品，尽力推动太阳能平价上网时代的早日到来。 保利协鑫副总裁吕锦标领奖
，其电池片效率提升0.2%以上，60片组件输出功率增加5W以上，同时组件的抗光衰特性、可靠性大幅提高。 关于未来的技术路线，金善明强调，硅片切割技术的最新应用金刚线切片时代即将到来，其单体
厂商保利协鑫发布了第四代多晶S4新品，光伏组件光衰平均下降1%，60片组件功率输出多增加5.5w。全球最大的组件生产商天合光能推出双玻Duomax组件，年衰减仅0.5%，比传统组件少20%，同时补齐
，鑫多晶S4一直被寄予厚望。不同与以往几款多晶产品，鑫多晶S4基于全新技术平台，不仅转换效率有所提升，而且还有效解决多晶硅片黑边问题，最重要的是抗光衰性能显著提升，成为高效多晶提升性能的新方向
黑边问题，更重要的是抗光衰性能显著提升，这是保利协鑫最新技术平台的首次发力。保利协鑫众多知名客户、相关政府领导、媒体和行业分析机构代表等出席发布会，共同见证这一历史时刻。
据保利协鑫光伏长晶事业部
；而全新的共掺杂技术的投入量产，则彻底解决多晶电池片的光衰问题，为后续的PERC等高效工艺提供更宽广的空间。
来自多家客户测试数据显示：鑫多晶S4试用平均转换效率已达到18.33％，与鑫多晶
%。 保利协鑫鑫多晶S4高效硅片 展会期间，保利协鑫发布新一代高效多晶硅片产品鑫多晶S4，通过先进的共掺杂技术提升性能，有效降低组件光衰，与上一代产品相比，能够让电池片效率再提升0.2个
第四代多晶S4新品，光伏组件光衰平均下降1%，60片组件功率输出多增加5.5w。全球最大的组件生产商天合光能推出双玻Duomax组件，年衰减仅0.5%，比传统组件少20%，同时补齐背板寿命短板，有望
的共掺杂技术提升性能，有效降低组件光衰，与上一代产品相比，能够让电池片效率再提升0.2个百分点，60片组件输出功率增加5瓦以上，同时组件的可靠性也大幅提高。协鑫集成将发布鑫阳光户用智能光伏高效发电系统
