光衰

光致衰减现象主要发生在掺硼的晶硅电池组件上，这个问题最早是由Fischer和Pschunder在1973年发现的，到2004年J.Schmidt研究结果认为硼氧对是形成光衰的主要原因，掺硼晶硅中的替位硼和间隙氧在光照下激发形成的较深能级缺陷引起载流子复合和电池性能衰退。依据文献结果，光致衰减幅度在3%左右。