光电转化效率

)、305/310W(72片)电池组件，满足高端客户需求。在现有多晶光伏电池技术条件下，鑫多晶S3的晶体结构特点能有效提升入射光吸收率，降低体载流子、表面载流子复合率，减少欧姆接触电阻，进而极大提升光电转化效率
产品鑫多晶S3研发再获成功。据多家客户测试数据反馈，鑫多晶S3较S2的光电转换平均效率提高0.3%-0.4%、效率分布集中度提高15%以上，硅片性能再次大幅度提升，可用于制备255/260W(60片

）电池组件，满足高端客户需求。在现有多晶光伏电池技术条件下，鑫多晶S3的晶体结构特点能有效提升入射光吸收率，降低体载流子、表面载流子复合率，减少欧姆接触电阻，进而极大提升光电转化效率。晶科推出高功率档组件
多家客户测试数据反馈，鑫多晶S3较S2的光电转换平均效率提高0.3%-0.4%、效率分布集中度提高15%以上，硅片性能再次大幅度提升，可用于制备255/260W（60片）、305/310W（72片

形式，还需要在提高光电转化率及降低电池成本两方面下足功夫。光伏技术空间正不断扩展■记者：您从事薄膜光伏的研究已有二十余年时间。您如何评价目前中国光伏产业发展状况?■孙云：直到上个世纪90年代，中国的
公司客人送给南开大学一个可折叠的太阳能充电器，做得很漂亮，放在阳光下就能给两节五号电池充电。后来我们用太阳光模拟器测试了一下它的转化效率，结果让我们都大吃一惊，这个非晶硅薄膜太阳电池充电器的转化率只有2

，最终实现单晶硅电池不低于18.5%和多晶硅电池不低于17.0%的平均转化效率的目标。根据光伏产业的发展现状，以及对公司情况的综合分析，对公司2010年~2011年的收入和利润情况进行调整，适当调高
下降2.28个百分点;财务费用率1.59%，同比下降0.22个百分点。公司出资9275万元(持股53%)投资设立宏宝光电公司，介入太阳能硅片切割及组件制造领域。项目包括300MW太阳能硅片和100MW组件

。在现有多晶光伏电池技术条件下，鑫多晶S3的晶体结构特点能有效提升入射光吸收率，降低体载流子、表面载流子复合率，减少欧姆接触电阻，进而极大提升光电转化效率。同时，鑫多晶S3牢牢把握电池技术进步方向，其
光电转换平均效率提高0.3-0.45%、效率分布集中度提高15%以上，硅片性能再次大幅度提升，可用于制备255/260W（60片）、305/310W（72片）电池组件，满足高端客户需求。鑫多晶S3将继续引领

实现单晶硅电池不低于18.5%和多晶硅电池不低于17.0%的平均转化效率的目标。根据光伏产业的发展现状，以及对公司情况的综合分析，对公司2010年~2011年的收入和利润情况进行调整，适当调高公司盈利
下降0.22个百分点。公司出资9275万元(持股53%)投资设立宏宝光电公司，介入太阳能硅片切割及组件制造领域。项目包括300MW太阳能硅片和100MW组件。公司以硅片制造领域为突破口，将逐步向光伏产业的

生产线技术改造项目》的议案。2011年底建成200MW太阳电池生产线，2012年底完成产品技术升级，最终实现单晶硅电池不低于18.5%和多晶硅电池不低于17.0%的平均转化效率的目标。根据光伏产业的发展现状
9275万元（持股53%）投资设立宏宝光电公司，介入太阳能硅片切割及组件制造领域。项目包括300MW太阳能硅片和100MW组件。公司以硅片制造领域为突破口，将逐步向光伏产业的上下游延伸。预计项目建成后

单晶硅和多晶硅电池产业化转化效率已分别达到18.5%和17.3%。主要光伏企业的高效电池效率已达到20%以上，量产效率也超过19%。高效多晶技术量产效率达18%以上，处于全球领先水平。电池组件企业成本
。 中盛光电

年的800.7MWH下降到2011年的281.8MWH，耗水量从2008年的8018立方米下降到2011年的2982立方米，同时公司光伏产品的光电转化效率也不断提高，近两年公司自主研发的Honey技术

，薄膜电池约为4GW，聚光电池约为100MW。在区域分布上，中国大陆以21GW产量位居全球首位、接下来分别为中国台湾以及日本、马来西亚等地。值得关注的是，依托于自身雄厚的半导体产业基础，加上美国双反等因素
持续下降趋势，产品国际竞争力不断增强，核心技术环节不断获得突破，生产工艺持续优化，规模化生产稳定性也逐步提高。目前，我国单晶硅和多晶硅电池产业化转化效率已分别达到18.5%和17.3%。主要光伏企业的