光伏IGBT

量产IGBT产品。据分析国产IGBT产品线将覆盖从1,200V、1,700V、3,300V、4,500V到6,500V，届时势必将从成本、技术等多方面展开更激烈的竞争。光伏产业以长期投资、稳健回报为特点

2014年1月，由禾望公司自主研制的光伏并网逆变房在内蒙通辽市国电科左后旗40MW光伏并网电站顺利实现并网发电。 光伏逆变器作为光伏并网发电系统的核心设备之一，在实现太阳能与电能转换中起到

索比光伏网讯:日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT
延迟小于250ns，上升和下降时间小于100ns，使其非常适合需要IGBT快速开关的的应用场合。VOW3120-X017T现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为四周到六周。VISHAY简介

索比光伏网讯:太阳能发电系统通常直接暴露在室外环境工作，经常遇到高温、高寒、高湿、大风沙，淋雨，盐雾等恶劣气象条件。华为可靠性实验室业界首创开发出了温度、湿度、腐蚀性粉尘三综合应力试验设备，使得
不同，在不同材料之间就出现膨胀系数、热传递性能的匹配差异，容易导致部件的卡紧件松弛。IGBT模块和散热器之间的热不匹配、不同材料的收缩或膨胀率不同，可诱发部件的变形或破裂、表面涂层开裂、气密性变差或泄漏

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不同，在不同材料之间就出现膨胀系数、热传递性能的匹配差异，容易导致部件的卡紧件松弛。IGBT模块和散热器之间的热不匹配、不同材料的收缩或膨胀率不同，可诱发部件的变形或破裂、表面涂层开裂、气密性变差或泄漏

索比光伏网讯:北京京运通科技股份有限公司2013年度报告摘要一、重要提示（一）本年度报告摘要摘自年度报告全文，投资者欲了解详细内容，应当仔细阅读同时刊载于上海证券交易所网站等中国证监会指定网站上的
、管理层讨论与分析（一） 董事会关于公司报告期内经营情况的讨论与分析报告期内，国内光伏行业尤其是光伏设备行业仍然处于低谷，随着中欧贸易争端的和解，给光伏行业带来些许暖意，加之多种利好政策的支持，部分光伏

%。 此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT（绝缘栅双极晶体管）。其作用是将太阳能电池板发电的直流电转换成高电压的交流电。 与硅IGBT相比，其优点包括

元件采用SiC的优点是，与以往的硅（Si）功率半导体元件相比，可降低能量损失。意法半导体称，最少可降低50％。此次的高耐压SiC功率MOSFET将在光伏发电用PCS中取代以往的硅IGBT（绝缘栅
索比光伏网讯:大型功率半导体厂商意法半导体公司3月宣布，将销售采用新一代半导体元件SiC（碳化硅）的功率MOSFET（金属氧化物半导体型场效应晶体管）SCT30N120。新产品的工作温度为200

国内技术领先的专业从事晶体生长设备研发、制造、销售的高新技术企业。分别应用于半导体、太阳能光伏、LED、IGBT电力电子等领域的晶体材料制备。 　　从行业观察，光伏行业持续复苏，行业景气度开始逐步