光伏膜材

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2010光伏业绩大增 “两头受压”或致今年业绩透支来源: 发布时间:2011-02-08 09:24:59

,预计2010年净利润大增3倍,生产光伏组件关键设备超白玻璃的金晶科技预计净利润增长200%以上;主业生产切割刃料的新大新材预计净利润增长40%-90%;进军光伏全产业链的南玻A预计净利润为14.6亿元

南洋科技太阳能电池背项目投资存隐患来源: 发布时间:2010-08-10 10:25:59

南洋科技于7月8日公告称,拟使用超募资金2.1亿元投资建设年产2.5万吨太阳能电池背项目(PET厚膜),并宣称在项目达成之后,预计可实现年销售收入5亿元,净利润5000万元。相对于该公司目前
地发展成为公司新的盈利点吗?不可否认,在新能源政策的鼓舞和刺激下,太阳能光伏产业在快速膨胀,作为太阳能电池板基础材料之一的PET厚膜也确属于朝阳行业。但是朝阳行业未必等于赚钱行业,经过查阅相关资料后

南洋科技募资2.1亿建设太阳能电池背项目来源: 发布时间:2010-06-23 11:27:59

金21,000 万元,投资建设年产25,000 吨(按250 微米计算)太阳能电池背项目,预计该项目达产后,可实现销售收入5亿元/年,净利润5000万元/年。 南洋科技董秘杜志喜表示:南洋科技
斥资进军太阳能电池背行业,主要是基于两大因素考量:一是太阳能背巨大的市场机遇。随着不可再生资源的逐步减少以及矿物类资源生产、使用中产生的各种污染问题,世界各国加大了对太阳能、风能等可再生能源和

南洋科技斥资2.1亿元进军太阳能电池背行业来源: 发布时间:2010-06-22 11:27:59

南洋科技日前发布公告,拟使用超募资金2.1亿元,投资建设年产2.5万吨(按250微米计算)太阳能电池背项目。预计该项目达产后,每年可实现销售收入5亿元,净利润5000万元。太阳能电池板是将太阳能
,价格较高且供货期不能保证,市场存在巨大的供需缺口。因此,从降低太阳电池组件单位发电功率的制造成本角度来讲,太阳能背板材料的国产化是中国光伏企业的必然选择。南洋科技董秘杜志喜表示,斥资进军太阳能电池背材

南洋科技2亿进军太阳能电池背行业来源:南洋科技 发布时间:2010-06-22 09:26:27

  南洋科技(002389)日前发布公告,拟使用超募资金2.1亿元,投资建设年产2.5万吨(按250微米计算)太阳能电池背项目。预计该项目达产后,每年可实现销售收入5亿元,净利润5000万元
。   南洋科技董秘杜志喜表示,斥资进军太阳能电池背行业,正是基于两大因素考量:一是太阳能背巨大的市场机遇;二是南洋科技的技术储备、市场口碑以及太阳能电池背与现有主导产品工艺的相似性。   南洋

强生光电目标:三至五年实现光伏发电与风火电同价来源:Solarbe.com 发布时间:2009-09-09 11:50:25

  编者按:强生光电目标:非晶薄膜电池在三年内每W成本降至4元人民币(0.50美元),成本为目前晶硅电池的40%;1MW光伏电站建设投资,在近三年中降至1000万元人民币,使上网发电成本降至每度
0.55元,光伏发电在三至五年内实现与风电、火电同价。   强生光电目标,是根据生产实践和科学、理性的分析,实事求是提出的,是可行的,也是完全能够实现的。强生光电提出的目标一旦实现,将推动中国全面进入

美国研制出高光电转换效率的纳米柱光伏组件来源: 发布时间:2009-08-03 09:34:59

)的纳米光伏材料结构还高。Javey表示,相比块材类太阳能电池模块,这种模块在组件中只使用了少量活性半导体,因此可以大幅度降低组件制作成本。光伏组件他还表示,他们的纳米柱可以用来发展一套低成本、质轻但

第三届中国太阳能节暨第七届中国国际太阳能光伏秋交会来源:Solarbe.com 发布时间:2009-06-30 10:38:13

第三届中国太阳能节暨第七届中国国际太阳能光伏秋交会 时间:2009年9月10~13日 地点:中国 常州国际会展中心(新建展馆) 所有参展企业均赠送《光伏采购》杂志整版彩色广告
为200多位光伏电池与组件企业采购经理免费提供住宿 特别支持 联合国工业发展组织国际太阳能中心 主办单位 中国可再生能源学会 中国农村能源行业

太阳能持续升温 业内人士共商前景来源:Solarbe.com 发布时间:2008-07-17 08:45:45

——中国电子报 油价飙升,常规能源告急,使业界更加看好新能源尤其是太阳能光伏产业的发展。半导体和化工巨头纷纷加入“光伏俱乐部”,也使太阳能光伏热持续升温。这种现象将持续多久,光伏产业的扩军将对市场

太阳能光伏技术——多晶硅薄膜太阳电池来源:solarbe.com 发布时间:2007-06-08 17:26:56

%。 在非硅底材上生长多晶硅薄膜的太阳电池的研究方面,我们主要研究在SIO2和SI3N4膜底材上生长多晶硅薄膜电池。SIO2膜与硅的晶格匹配较好,热膨胀系数也较相近,用SIO2作衬底较佳。首先在