光伏封装设备

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汉能太阳能薄膜发电技术助推全球新能源汽车推广来源:经济观察网 发布时间:2014-06-11 23:59:59

20.5%,且具有轻质、柔性可弯曲、弱光发电强和封装技术好等优点。赛事期间,该套系统将装置于赛道旁为整个赛事提供部分清洁电力,包括为赛车、嘉宾电子终端设备等提供电力。汉能太阳能所属全球光伏应用集团执行总裁

汉能太阳能成为国际汽联电动方程式世锦赛北京赛事官方太阳能合作伙伴来源:汉能太阳能 发布时间:2014-06-11 11:39:34

终端设备等提供电力。      汉能太阳能所属全球光伏应用集团执行总裁周捷三表示:Formula E所传递出的理念非比寻常,汉能太阳能非常自豪地能够成为该项目的一部分,并通过我们全球领先的柔性薄膜发电
(铜铟镓硒)薄膜发电技术;目前,该技术最高转化率已达20.5%,且具有轻质、柔性可弯曲、弱光发电强和封装技术好等优点。赛事期间,该套系统将装置于赛道旁为整个赛事提供部分清洁电力,包括为赛车、嘉宾电子

汉能成为国际汽联电动方程式世锦赛太阳能合作伙伴来源:东方今报 发布时间:2014-06-10 23:59:59

轻质、柔性可弯曲、弱光发电强和封装技术好等优点。赛事期间,该套系统将装置于赛道旁为整个赛事提供部分清洁电力,包括为赛车、嘉宾电子终端设备等提供电力。汉能太阳能所属全球ink"光伏应用集团执行总裁周捷三

汉能太阳能携手国际汽联电动方程式世锦赛来源:世纪新能源网 发布时间:2014-06-10 23:59:59

20.5%,且具有轻质、柔性可弯曲、弱光发电强和封装技术好等优点。赛事期间,该套系统将装置于赛道旁为整个赛事提供部分清洁电力,包括为赛车、嘉宾电子终端设备等提供电力。汉能太阳能所属全球光伏应用集团执行总裁

2014中国(长沙)国际新能源展览会来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2014-06-09 15:33:02

,提高品牌的知名度和客户的忠诚度 ★ 拓宽销售:通过与专业卖家的对接洽谈,巩固老客户、抓住准客户、赢取潜在客户 【参展范围】 ◆ 太阳能光伏类:光伏生产设备(硅棒、硅块、硅锭、硅片
晶圆、电池、电池板/组件、薄膜电池板等生产设备);光伏电池(光伏电池生产商、电池组件生产商、电池组件安装商);光伏相关零部件(蓄电池、充电器、逆变器、监视器、支架系统、追踪系统、电缆等);光伏应用产品(硅料

德邦公司参展2014年SNEC第八届国际太阳能产业及光伏工程展览会来源:德邦公司 发布时间:2014-06-09 15:19:41

、灌封胶等产品,尤其是公司的光伏组件封框胶带及配套使用的半自动胶带机吸引了众多客户前来参观与洽谈。   现阶段生产光伏组件的厂商在组件封装过程中目前面临很多挑战,其中最主要的障碍依然是如何提高生产

揭秘光伏设备巨头centrotherm的“重生”之谜来源:OFweek太阳能光伏网 发布时间:2014-06-09 10:38:32

photovoltaics AG,这家成立于1976以半导体和太阳电池片加工设备起家,而后发展为涵盖多晶硅工厂设计、工程和关键生产设备的开发以及为主要光伏公司和新入企业提供交钥匙生产线和关键设备等几乎涵盖整个

【专栏】太阳能电池接地系统的设计技术来源:世纪新能源网 发布时间:2014-06-08 23:59:59

索比光伏网讯:世纪新能源网专栏作家:刘继茂专栏地址:http://www.ne21.com/special/show-59.html光伏组件使用一段时间后,发电功率会出现一定幅度的衰减,因为晶体硅
组件会产生电位诱发衰减(PID)效应,薄膜组件会产生透明导电氧化物(TCO)层损坏,如果不采取纠正措施,组件的发电功率就会大幅下降,严重影响光伏系统的收益。目前主要解决方法是把组件正负极一端接地,可以

光伏电站建设“背后”:隐裂的材料风险(二)来源: 发布时间:2014-06-06 11:35:59

此前一家权威认证机构发布了一组调查结果:他们对425座太阳能光伏电站进行了监测,发现了大量问题,其中与光伏组件及其原材料有关的问题令人警觉,尤其是后期建设的电站,问题暴露的越来越多。调查发现组件主要
存在热斑、隐裂和功率衰减等质量问题,尤以功率衰减问题突出,在2013年现场测试的11座大型地面电站检测后,发现运行一年期左右的组件中(考虑了设备的不确定因素),51%的组件衰减在5%10%之间,其中约

三菱电机携太阳能产品亮相PCIM亚洲展2014来源:索比太阳能光伏网 发布时间:2014-06-06 11:00:17

、1200V和1700V三种电压等级;提高利用门极电阻优化dv/dt的可控性;涵盖模块电流75A至2500A;继承传统的三种封装,适应不同的结构设计需求;采用预涂热界面材料,降低模块与散热器的接触热阻
半导体硅片技术和封装技术的公司,积极发展碳化硅新材料的应用。目前市场上采用的功率模块的IGBT芯片大多采用硅材料制造,但是硅材料的性能利用已接近极限。与硅相比,碳化硅的禁带宽度是硅的3倍,临界击穿电场