光伏元件

索比光伏网讯:太阳能电池有望成为人类绝对清洁且取之不尽用之不竭的能源，然而，要想做到这一点，需要满足三个条件：便宜的制造元件；廉价且能耗低的制造方法；高转化效率。现在，美国科学家研制出了一种廉价制造
一个球形P-N结取代了传统太阳能电池的平面P-N结。在球形P-N结内，以P型硅纳米线为核，N型硅层在其周围形成了一个外壳。这种几何形状有效地将单个纳米线变为一个光伏电池，也大幅提升了硅基光伏薄膜的捕光能

逆变器主要应用在大功率并网情况下；对于功率低于1MW的光伏发电系统，主要采用自励逆变器方式。自励逆变器不需要外部交流电压源，整流电压由逆变器的一部分储能元件（比如电容）来提供或者通过增加待关断整流阀
索比光伏网讯:发展逆变器技术是太阳能应用提出的要求，本文介绍了太阳能逆变器的原理及架构，着重介绍了IGBT和MOSFET技术，实现智能控制是发展太阳能光伏逆变器技术的关键。一、太阳能对逆变器的要求

索比光伏网讯:康耐视公司为In-Sight视觉系统推出了一种新的功能，这种功能可以帮助制造商轻松地进行视觉系统的自动测试，并验证系统功能是否正常。只有In-Sight视觉系统才具备这种称之为
，TestRun参照数据库进行应用验证。对照图像库包括合格与不合格元件的样本。不合格元件的参考图形可以根据元件存在的具体缺陷进行进一步的分级。当TestRun执行时，当前视觉程序将对图像库中的每一个图像进行

索比光伏网讯:如果满足了便宜的制造元件，廉价且能耗低的制造方法，高转化效率这三个条件，太阳能就有望成为人类绝对清洁而且取之不尽用之不竭的能源了。据美国物理学家组织网近日报道，现在，美国科学家研制出

索比光伏网讯:随着节能观念兴起，再生能源的发电效率也逐渐受到重视，为迎合市场需求，太阳能业者皆无所不用其极努力打造节能高效的太阳能发电系统。受惠近期太阳能光伏逆变器中的IGBT与MOSFET两项功率
元件技术显著进步，太阳能面板转换效率已大幅提升。IGBT技术演进日趋成熟IGBT与N通道(N-ch)型MOSFET不同处在于，N-ch型MOSFET的基板极性为N；而IGBT的基板极性为P。由IGBT

索比光伏网讯:太阳能电池有望成为人类绝对清洁且取之不尽用之不竭的能源，然而，要想做到这一点，需要满足三个条件：便宜的制造元件；廉价且能耗低的制造方法；高转化效率。据美国物理学家组织网近日报道，现在
方法，使用硅，用一个球形PN结取代了传统太阳能电池的平面PN结。在球形PN结内，以P型硅纳米线为核，N型硅层在其周围形成了一个外壳。这种几何形状有效地将单个纳米线变为一个光伏电池，也大幅提升了硅基

从2007、2008年时的多晶硅，到去年的精功科技（002006，收盘价30.00元），光伏行业整体虽然时有起落，但产业链总是有环节能赢得资本市场青睐。如今虽然欧债危机蔓延，给严重依赖于
欧洲市场的我国光伏行业下游需求蒙上阴影，不过产业链上，或许有另一块风生水起的市场正在开启。 本月，A股市场两家重磅光伏厂商都宣布新的投资计划，上游原料多晶硅生产商乐山电力（600644，收盘价

（Shine Magazine/光能杂志 & www.solarbe.com/索比太阳能光伏网 记者 李默 报道） 目前，对贵重太阳能装置及其电子配备的过电压与电流浪涌的可靠保护日显重要
：太阳能组件与逆变器输入端的过电压保护（OVP）；右：对EMC滤波器及其它元件的线路侧过电压保护 在逆变器输入端实现全面保护 额定电压为1000 V DC的金属氧化物压敏电阻通常用于太阳能逆变器

索比光伏网讯:随着太阳光电模组价格陷入了摩尔定律的魔咒，却也因此加速了太阳能迈入普及化时代的来临。当全球太阳光电模组的生产量不断上升，价格持续向下探底，品质亦持续向上推升的同时，预告了太阳光再生能源
问题，逆变器由于采用大量的电子控制元件，频繁的操作频率，目前的使用年限大约只有五年，也往往成为太阳光电系统被忽视的关键成本。

索比光伏网讯:随着太阳光电模组价格陷入了摩尔定律的魔咒，却也因此加速了太阳能迈入普及化时代的来临。当全球太阳光电模组的生产量不断上升，价格持续向下探底，品质亦持续向上推升的同时，预告了太阳光再生能源
问题，逆变器由于采用大量的电子控制元件，频繁的操作频率，目前的使用年限大约只有五年，也往往成为太阳光电系统被忽视的关键成本。