低电阻

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英利“智”造闪耀 SNEC 2018来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-30 16:04:15

栅半片多晶组件采用半片电池技术,可将通过每根主栅的电流降低为1/2,内部电阻损失降低为整片电池的1/4,从而提升组件功率,单瓦发电量增益2%以上。(参加SNEC十大亮点产品的评选)作为英利的明星产品
高效光伏系统,大功率、高颜值、低BOS、发电量进一步提升,同时所安装系统享受24小时响应、48小时解决,一次安装、终身服务的金管家售后服务。 2 嘉盛光电 作为智慧能源建筑解决方案提供商

SNEC 那些企业都做了啥?来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-30 09:21:16

,增益提高;更优异的抗遮挡性能;降低热斑影响。 2、285W多主栅双玻:串联电阻降低,遮光面积减少,输出功率提高;减少断栅,隐裂风险降低; 3、345W双面半片网格单晶双玻:双面发电
,发电量提升10-30%;瓷白网格反射设计,功率提升2%;单位面积功率输出高,BOS成本降低;LID低,温度系数小,弱光性能优;适用于地面电站、农光互补、渔光互补及城市高架路两侧隔音等项目

更轻薄更高效更可靠!SNEC翌日瑞元鼎泰携多款产品重磅发布来源:365光伏 发布时间:2018-05-29 20:04:48

、285W多主栅双玻:串联电阻降低,遮光面积减少,输出功率提高;减少断栅,隐裂风险降低; 3、345W双面半片网格单晶双玻:双面发电,发电量提升10-30%;瓷白网格反射设计,功率提升2%;单位面积
功率输出高,BOS成本降低;LID低,温度系数小,弱光性能优;适用于地面电站、农光互补、渔光互补及城市高架路两侧隔音等项目; 柔性、轻量安装方式为户用光伏市场解决安装难题 针对大跨度、不便安装支架

更轻薄更高效更可靠 SNEC翌日瑞元鼎泰携多款产品重磅发布来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-29 10:59:17

Perc单晶瓷白双玻:电流降低,组件内部损耗减小,填充因子提高,组件效率提高;零反射深度增加,增益提高;更优异的抗遮挡性能;降低热斑影响。 2、285W多主栅双玻:串联电阻降低,遮光面积减少,输出功率
提高;减少断栅,隐裂风险降低; 3、345W双面半片网格单晶双玻:双面发电,发电量提升10-30%;瓷白网格反射设计,功率提升2%;单位面积功率输出高,BOS成本降低;LID低,温度系数小,弱光性

晶澳携四大系列新品亮相2018上海SNEC光伏展 备受关注来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-29 10:07:44

栅单晶PERC组件 晶澳MBB多主栅单晶PERC组件多主栅互联结构外表美观精致,具备更低的遮挡和电阻损失,能够产生更高的功率输出;同时具有优越的温度特性,组件功率温度系数-0.36
% /℃。 04 晶澳N型双玻组件 晶澳N型双玻组件采用双面结构可产生更高的能量输出;同时兼备优越的低辐照性能,优越的温度特性,组件功率温度系数-0.35% /℃;在原材料方面采用N型

激光掺杂选择性发射极单晶硅太阳电池的工艺研究来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-28 10:20:09

有明显的降低,低方块电阻的重掺杂区与金属栅线形成良好的欧姆接触,接触电阻降低,电池的串联电阻得到明显的改善。当激光功率达到50W时,电池的串联电阻有升高的趋势,这一方面是由于过高的激光功率会使磷硅玻璃

航天机电携半片PERC产品亮相SNEC 加快310W+组件规模化应用来源:索比光伏网 发布时间:2018-05-28 09:56:24

进一步打开国内外应用市场,加速高性价比电池组件技术规模化应用的步伐。 航天机电60片P型PERC单晶组件最高功率可达315W 航天机电P型PERC半片组件系列使用电阻半片电池组件

隆基降价:国内4.25元人民币 海外0.58美金来源:PV InfoLink 发布时间:2018-05-28 08:57:39

不仅多晶硅片持续跌价,单晶硅片龙头厂隆基甫公布的最新价格也大幅下降: 180m厚度、电阻单晶硅片价格由五月国内每片4.5元人民币、海外0.62元美金降至国内每片4.25元人民币、海外0.58元

接错线太危险!零火地线的多种辨别方法大汇总来源:零点光伏 发布时间:2018-05-24 18:59:59

,低的是零线,电压为0的是地线。零线对地电阻小于4欧为可靠接地。用万用表置于交流档地250v测火线与零线、火线与地线的压差,两值相差在5v以下为可靠接地。 划重点 除了起保护作用的地线以外,其它的

P型单晶EL黑斑分析来源:摩尔光伏 发布时间:2018-05-24 10:24:55

实验 采用NaOH溶液对p型(111)单晶硅片进行去除损伤层和制绒处理,硅片的厚度为19010m,电阻率为20.5cm。分别对硅片进行单面POCl3磷扩散,等离子增强化学气相沉积(PECVD)法
的检测电池片和组件缺陷的方法。 EL测试的图像亮度与电池片的少子寿命(或少子扩散长度)与电流密度成正比,在有缺陷的区域,其少子扩散长度低,发光强度弱。通过EL测试图像的分析,可以清晰地发现