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都跃跃欲试，希望能在现有的产品之外添加全新的智能型产品系列。尚德公司(Suntech)是全球晶体硅光伏组件领导生产商之一。该公司最近宣布与分布式集成电路的市场领导者美国国家半导体携手合作，为太阳能产品市场
上升,形成热斑.若热斑的温度超过一定极限,将会使电池片上的焊点融化并损坏栅线,从而导致整个光伏阵列甚至系统的损坏.为了避免热斑的产生，接线盒因应而生。在太阳能电池组件中，一般将N块电池片串联成电池组，以

G.L.Pearson获得太阳能转换器件专利权。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要；Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9
1969年底，半导体所承担了为实践1号卫星研制和生产硅太阳能电池板的任务。在研究中，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年

合掉了,从而会使电池效率大大下降。尽管n型硅材料的少子迁移率较小,但其寿命较长,且对杂质沾污的敏感性较低,所以比较适合于制作背结电池。2.1.1IBC太阳电池IBC
(Interdigitatedbackcontact)电池出现于20世纪70年代,是最早研究的背结电池,最初主要应用于聚光系统中,见图1。电池选用n型衬底材料,前后表面均覆盖一层热氧化膜,以降低表面复合。利用光刻技术,在电池背面分别进行

是4倍聚光漏斗和散热片的一组照片： c）高效聚光硅基电池：硅电池的转化率越高，所消耗的多晶硅就越少。目前用的是美国Sun Power公司供应的转化率为22%的n型硅基聚光电池。如前所述
，在聚光条件下，聚光电池，会出现对数式非线性增长。4倍聚光导致开环电压增长了10%！这一n型光电池就呈现出24.5%的转化率！ d）在所有上述介绍的绿色技术中，最重要的是太阳能炼硅。 5

的背面。电池正面采用由光刻制成的金字塔（绒面）结构。位于背面的发射区被设计成点状，50m间距，10m扩散区，5m接触孔径，基区也作成同样的形状，这样可减小背面复合。衬底采用n型低阻材料（取其表面及体内
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术

索比光伏网讯:作者简介：李军阳，男，高级工程师，长期从事半导体工艺设备开发与研究工作，近年来致力于太阳电池用PECVD设备在国内的研发及工艺研究并取得重大突破，现任职深圳市大族光伏
衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反应并释放出反应产物。　　假设一个极端的情况：假设在衬底表面处，反应进行得很彻底，没有残余的反应物存在；假设在装置的上界面Y=B处，物质的扩散项等于零；假设输入气体

。最新的扩产计划包括保定总部扩产600MWp扩产项目和海南100 MWp扩产项目。截至2011年底，总产能预计将达到1.7GW。产品概况：单晶光伏组件、多晶光伏组件。英利熊猫组件是一种高效N型单晶光伏
和推广应用工作，是德国SMA、Steca、美国Sunpower、加拿大Xantrex等世界知名品牌的专业销售服务商；公司拥有自主研发的智能型太阳能控制器、逆变器、交直流互补控制器、太阳能路灯集中遥控

三相逆变器。对于用于并网系统的逆变器，根据有无变压器又可分为变压器型逆变器和无变压器型逆变器。　　光伏逆变器的结构与工作原理逆变器是一种由半导体器件组成的电力调整装置，主要用于把直流电力转换成
OFweek太阳能光伏网【文/Ruily】逆变器又称电源调整器，根据逆变器在光伏发电系统中的用途可分为独立型电源用和并网用二种。根据波形调制方式又可分为方波逆变器、阶梯波逆变器、正弦波逆变器和组合式