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的另一个应用可能应用在相互交叉的背接触的n型硅太阳能电池中，可得到高质量的丝网印刷的铝合金发射极。总之，本文的研究在丝网印刷中对铝粉浆和硅接触有了更深的理解。在丝网印刷中，当烧结的峰值温度在750
技术有效地提高了电池的效率，但是在丝网印刷中对铝粉浆和硅之间的接触的优化所起的作用是微不足道的，而且需要更深地理解金属半导体之间的接触效应。事实上，当串联电阻减少时，接触面积和指间距的配合是一个至关重要

构造，所以d2决定铝的层叠。同样，指间距也由丝网印刷铝层（LPd2）中硅的传播极限决定。铝层叠的另一个应用可能应用在相互交叉的背接触的n型硅太阳能电池中，可得到高质量的丝网印刷的铝合金发射极。总之
浆和硅之间的接触的优化所起的作用是微不足道的，而且需要更深地理解金属半导体之间的接触效应。事实上，当串联电阻减少时，接触面积和指间距的配合是一个至关重要的问题。另一方面，用高质量P+掺杂层的形成来提高

（PECVD）沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面，这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规n型CZ硅片表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层，我们得到了非常低的
了25.6%的记录，这在硅基太阳能电池技术中是最高的。与传统的P型单晶/多晶太阳能电池相比，n型单晶衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率，而且只需要很少的工艺步骤。同时，HJT具有独特

用低质量的硅料。2）在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率N型硅料苰IC的废N型硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率合适，但硼一氧浓度非常高从而导致太阳电池性能出现较大幅度的

。1958年美国信号部队的T.Mandelkorn制成n/p型单晶硅光伏电池，这种电池抗辐射能力强，这对太空电池很重要;Hoffman电子的单晶硅电池效率达到9%;第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射
，研究人员发现，P+/N硅单片太阳电池在空间中运行时会遭遇电子辐射，造成电池衰减，使电池无法长时间在空间运行。1969年，半导体所停止了硅太阳电池研发，随后，天津18所为东方红二号、三号、四号系列地球

关系式为:这样理想的认为，利用光的干涉效应可以消除光在半导体界面处180 度外的反射，如图3.2 所示:图3-2:使用1/4 波长减反射膜来减少表面反射反射系数n1 与介质两边空气或玻璃的系数no 和
半导体的系数n2 的算术关系式是：如图3.3 示：表面反射在这种状况下能减少至0。图3-3：在波长为0.6 微米处的硅表面的减反射膜的关系（iii)表面结构也可以用来减少光的反射。任何表面的粗加工（绒面